Bibliography database of Radiophysics Laboratory (RpLab) -- Query Results

	Bibliography database of Radiophysics Laboratory (RpLab) Home \| Show All \| Simple Search \| Advanced Search	Login Quick Search: Field: contains: ...
	1-1 of 1 record found matching your query:

Search & Display Options

Select All Deselect All

<< 1 >>

|

|

Details

	Record						Links
	Author	Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.
	Title	Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках			Type	Journal Article
	Year	1989	Publication	Физика и техника полупроводников	Abbreviated Journal	Физика и техника полупроводников
	Volume	23	Issue	2	Pages	338-345
	Keywords	weakly compensated Si, Ge, doped, Hall mobility
	Abstract	На примере легированного и слабо компенсированного Si⟨B⟩ проведены исследования особенностей температурной зависимости подвижности при различных механизмах рассеяния. Уточнен метод определения концентрации компенсирующей примеси по μI(T). Полученные результаты обсуждаются и для Ge.
	Address
	Corporate Author				Thesis
	Publisher		Place of Publication		Editor
	Language		Summary Language		Original Title
	Series Editor		Series Title		Abbreviated Series Title
	Series Volume		Series Issue		Edition
	ISSN		ISBN		Medium
	Area		Expedition		Conference
	Notes				Approved	no
	Call Number				Serial	1758
Permanent link to this record

Select All Deselect All

<< 1 >>

|

|

Details

All Found Records Selected Records:

Save Citations: Format:

Export Records: Format:

CQL Search | Library Search | Show Record | Extract Citations