| |
Author |
Title |
Year |
Publication |
Volume |
Pages |
Links |
|
|
Семенов, А. В.; Корнеев, А. А.; Лобанов, Ю. В.; Корнеева, Ю. П.; Рябчун, С. А.; Третьяков, И. В.; Флоря, И. Н.; Смирнов, А. В.; Ковалюк, В. В.; Смирнов, К. В.; Гольцман, Г. Н. |
Оценка поляризационных искажений, вносимых оптической системой радиотелескопа миллиметрового диапазона |
2012 |
Преподаватель ХХI век |
|
230-236 |
|
|
|
Ожегов, Р.В.; Горшков, К.Н.; Окунев, О.В.; Гольцман, Г.Н. |
Сверхпроводниковый смеситель на эффекте электронного разогрева как элемент матрицы системы построения тепловых изображений |
2010 |
Письма в Журнал технической физики |
36 |
70-78 |
|
|
|
Ожегов, Р. В.; Окунев, О. В.; Гольцман, Г. Н.; Филиппенко, Л. В.; Кошелец, В. П. |
Флуктуационная чувствительность сверхпроводящего интегрального приемника терагерцового диапазона частот |
2009 |
Радиотехника и электроника |
54 |
750-755 |
|
|
|
Манова, Н.Н.; Корнеева, Ю.П.; Корнеев, А.А.; Слыш, В.; Воронов, Б.М.; Гольцман, Г.Н. |
Сверхпроводниковый NbN однофотонный детектор, интегрированный с четвертьволновым резонатором |
2011 |
Письма в Журнал технической физики |
37 |
7 |
|
|
|
Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. |
Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов |
2010 |
Физика и техника полупроводников |
44 |
1475-1478 |
|
|
|
Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. |
Концентрационная зависимость полосы преобразования смесителей субмиллиметрового диапазона на основе наноструктур AlGaAs/GaAs |
2010 |
Изв. РАН Сер. Физ. |
74 |
110-112 |
|
|
|
Масленникова, А. В.; Рябчун, С. А.; Финкель, М. И.; Каурова, Н. С.; Исупова, А. А.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н. |
Широкополосные смесители на горячих электронах на основе NbN наноструктур |
2011 |
Труды Московского физико-технического института |
3 |
31-34 |
|
|
|
Флоря, И.Н.; Корнеева, Ю.П.; Корнеев, А.А.; Гольцман, Г.Н. |
Сверхпроводниковый однофотонный детектор для среднего инфракрасного диапазона на основе узких параллельных полосок |
2011 |
Труды Московского физико-технического института |
3 |
14-17 |
|
|
|
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла |
1990 |
Физика и техника полупроводников |
24 |
2145-2150 |
|
|
|
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. |
Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках |
1989 |
Физика и техника полупроводников |
23 |
338-345 |
|
|
|
Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах |
1990 |
Физика и техника полупроводников |
24 |
3-24 |
|
|
|
Смирнов, А. В.; Карманцов, М. С.; Смирнов, К. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Мастеров, Д. В.; Тархов, М. А.; Павлов, С. А.; Парафин, А. Е. |
Терагерцовый отклик болометров на основе тонких пленок YBCO |
2012 |
ЖТФ |
82 |
108-111 |
|
|
|
Третьяков, И.В.; Рябчун, С.А.; Каурова, Н.С.; Ларионов, П.А.; Лобастова, А.А.; Воронов, Б.М.; Финкель, М.И.; Гольцман, Г.Н. |
Оптимальная поглощенная мощность гетеродина для терагерцового сверхпроводникового NbN смесителя на электронном разогреве |
2010 |
Письма в Журнал технической физики |
36 |
78-84 |
|
|
|
Корнеев, А. А.; Минаева, О.; Рубцова, И.; Милостная, И.; Чулкова, Г.; Воронов, Б.; Смирнов, К.; Селезнёв, В.; Гольцман, Г.; Pearlman, A.; Slysz, W.; Cross, A.; Alvarez, P.; Верёвкин, А.; Sobolewski, R. |
Сверхпроводящий однофотонный детектор на основе ультратонкой пленки NbN |
2005 |
Квантовая электроника |
35 |
698-700 |
|
|
|
Пентин, И. В.; Смирнов, К. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, А. В.; Ожегов, Р. В.; Дивочий, А. В.; Гольцман, Г. Н. |
Быстродействующий терагерцевый приемник и инфракрасный счетчик одиночных фотонов на эффекте разогрева электронов в сверхпроводниковых тонкопленочных наноструктурах |
2011 |
Труды МФТИ |
3 |
38-42 |
|
