| Records |
Author  |
Бурмистрова, А. В.; Девятов, И. А. |
| Title |
Расчет электронного транспорта в гетероструктурах, содержащих многозонные сверхпроводники |
Type |
Conference Article |
| Year |
2014 |
Publication |
Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» |
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
1 |
Issue |
|
Pages |
21-22 |
| Keywords |
N/I/Sp junctions |
| Abstract |
В рамках приближения сильной связи теоретически рассчитаны проводимости контактов вида нормальный металл/изолятор/одноорбитальный сверхпроводник с p-типом сверхпроводящего спаривания (N/I/Sp). Объяснено наблюдаемое экспериментально как появление пика при нулевом напряжении, так и его расщепление в зависимости от толщины слоя изолятора. В рамках этой же микроскопической теории развит вариант техники решеточной функции Грина в мацубаровом представлении. Используя разработанный подход, рассчитаны фазовые и температурные зависимости тока Джозефсона для контакта сверхпроводника s-типа и многозонного железосодержащего сверхпроводника (ферропниктида) для различных ориентаций границы по отношению к кристаллографическим осям пниктида. |
| Address |
Нижний Новгород, Россия |
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
|
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1834 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Братман, В.Л.; Литвак, А.Г.; Суворов, Е.В. |
| Title |
Освоение терагерцевого диапазона: источники и приложения |
Type |
Journal Article |
| Year |
2010 |
Publication |
Успехи физических наук |
Abbreviated Journal |
Успехи физ. наук |
| Volume |
181 |
Issue |
8 |
Pages |
867–874 |
| Keywords |
HEB |
| Abstract |
|
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
|
Approved |
no |
| Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
674 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Борн, М.; Вольф, Э. |
| Title |
Основы оптики |
Type |
Book Whole |
| Year |
1973 |
Publication |
|
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
| Keywords |
|
| Abstract |
|
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
Наука |
Place of Publication |
М. |
Editor |
|
| Language |
russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
|
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
227 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б. |
| Title |
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла |
Type |
Journal Article |
| Year |
1990 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
| Volume |
24 |
Issue |
12 |
Pages |
2145-2150 |
| Keywords |
Hall constant, concentration of impurities, p-Si |
| Abstract |
На примере p-Si⟨B,\,Ga⟩ с различной степенью компенсации проведена сравнительная оценка точности определения раздельной концентрации примесей по температурной зависимости концентрации дырок p(T) в случае одной и двух легирующих примесей с энергиями ионизации, различающимися менее чем в 2 раза. Исследована функция среднеквадратичного отклонения в пространстве параметров D(Nк, N2) (Nк, N1 и N2 — концентрации компенсирующих примесей бора и галлия соответственно, N2≫N1) в предположении, что N2, энергии B и Ga известны. Показано, что в случае двух легирующих примесей D(Nк, N1) в окрестностях минимума имеет «овражный» рельеф и при некоторых соотношениях между Nк и N1 разброс искомых величин превышает порядок, причем увеличение точности измерений p(T) существенного улучшения в вычислении параметров не дает. При одной легирующей примеси точность вычисления параметров высокая. |
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
|
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1754 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. |
| Title |
Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках |
Type |
Journal Article |
| Year |
1989 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
| Volume |
23 |
Issue |
2 |
Pages |
338-345 |
| Keywords |
weakly compensated Si, Ge, doped, Hall mobility |
| Abstract |
На примере легированного и слабо компенсированного Si⟨B⟩ проведены исследования особенностей температурной зависимости подвижности при различных механизмах рассеяния. Уточнен метод определения концентрации компенсирующей примеси по μI(T). Полученные результаты обсуждаются и для Ge. |
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
|
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1758 |
| Permanent link to this record |
