toggle visibility Search & Display Options

Select All    Deselect All
 | 
Citations
 | 
   print
Gershenzon, E. M., Goltsman, G. N., & Ptitsyna, N. G. (1974). Investigation of excited donor states in GaAs. Sov. Phys. Semicond., 7(10), 1248–1250.
toggle visibility
Pentin, I., Finkel, M., Maslennikov, S., Vakhtomin, Y., Smirnov, K., Kaurova, N., et al. (2017). Superconducting hot-electron-bolometer mixers for the mid-IR. Rus. J. Radio Electron., (10), http://jre.cplire.ru/jre/oct17/9/text.pdf. Retrieved July 7, 2024, from http://jre.cplire.ru/jre/oct17/9/abstract_e.html
toggle visibility
Воеводин, Е. И., Гершензон, Е. М., Гольцман, Г. Н., & Птицина, Н. Г. (1990). Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge. Физика и техника полупроводников, 24(10), 1881–1883.
toggle visibility
Банная, В. Ф., Веселова, Л. И., & Гершензон, Е. М. (1983). Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии. Физика и техника полупроводников, 17(10), 1896–1898.
toggle visibility
Гершензон, Е. М., Литвак-Горская, Л. Б., & Рабинович, Р. И. (1983). Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда. Физика и техника полупроводников, 17(10), 1873–1876.
toggle visibility
Select All    Deselect All
 | 
Citations
 | 
   print