|   | 
Details
   web
Records
Author Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С.
Title Спин-решеточная релаксация доноров фосфора в кремнии при одноосной деформации образца Type Journal Article
Year 1985 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 19 Issue 9 Pages 1696-1698
Keywords (up) uniaxial pressure, Ge, phosphorus donors, spin-lattice relaxation
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1760
Permanent link to this record
 

 
Author Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.
Title Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках Type Journal Article
Year 1989 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 23 Issue 2 Pages 338-345
Keywords (up) weakly compensated Si, Ge, doped, Hall mobility
Abstract На примере легированного и слабо компенсированного Si⟨B⟩ проведены исследования особенностей температурной зависимости подвижности при различных механизмах рассеяния. Уточнен метод определения концентрации компенсирующей примеси по μI(T). Полученные результаты обсуждаются и для Ge.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1758
Permanent link to this record