toggle visibility Search & Display Options

Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print
  Records Links
Author Елманов, И. А.; Елманова, А. В.; Голиков, А. Д.; Комракова, С. А.; Каурова, Н. С.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н. url  openurl
  Title Способ определения параметров резистов для электронной литографии фотонных интегральных схем на платформе нитрида кремния Type Conference Article
  Year 2019 Publication Proc. IWQO Abbreviated Journal Proc. IWQO  
  Volume Issue Pages 306-308  
  Keywords Si3N4, e-beam lithography, EBL  
  Abstract В работе были измерены толщины резистов ZEP 520A и ma-N 2400 для электронно-лучевой литографии, неразрушающим способом, а также подобран рецепт, обеспечивающий высокое отношение скорости травления нитрида кремния по сравнению с резистом. Работа имеет практическое значение для электронной литографии интегрально-оптических устройств и устройств нанофотоники на основе нитрида кремния.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language (down) Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Duplicated as 1189 Approved no  
  Call Number Serial 1284  
Permanent link to this record
 

 
Author Корнеев, А. А.; Окунев, О. В.; Чулкова, Г. М.; Смирнов, К. В.; Милостная, И. И.; Минаева, О. В.; Корнеева, Ю. П.; Каурова, Н. С.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н. isbn  openurl
  Title Спонтанные и фотоиндуцированные резистивные состояния в узких сверхпроводящих NbN полосках Type Book Whole
  Year 2015 Publication Abbreviated Journal  
  Volume Issue Pages  
  Keywords NbN films  
  Abstract Монография посвящена актуальной проблеме современной фотоники: разработке высокочувствительных и быстродействующих сверхпроводниковых однофотонных детекторов на основе тонкой пленки NbN. В работе исследуются неравновесные процессы, протекающие в тонкой сверхпроводящей пленке после поглощения инфракрасного фотона и приводящие к возникновению резистивного состояния. На этих процессах основан механизм фотоотклика исследуемого в работе однофотонного детектора. В частности, исследуются зависимости квантовой эффективности и скорости темнового счета от геометрических параметров детектора: толщины пленки, ширины полоски, а также от величины транспортного тока детектора. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих исследователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники и радиофизики.  
  Address Москва  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher МПГУ Place of Publication Editor  
  Language (down) Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN 978-5-4263-0269-3 Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes УДК: 535; Число страниц: 108 Approved no  
  Call Number Serial 1812  
Permanent link to this record
 

 
Author Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Гершензон, Е. М.; Птицина, Н. Г.; Смирнов, К. В.; Чулкова, Г. М. url  openurl
  Title Исследования процессов неупругой релаксации и примесная спектроскопия-релаксометрия в двумерном электронном газе в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами Type Report
  Year 1995 Publication Abbreviated Journal  
  Volume Issue Pages  
  Keywords  
  Abstract В гетероструктурах GaAs/AlGaAs впервые прямым методом измерена температурная зависимость вpемени энеpгетической pелаксации двумерного электронного газа te(T) в широком диапазоне температур Т=1,5 – 50 К в квазиравновесных условиях. Для измерений использовался высокочувствительный спектрометр миллиметрового диапазона волн с высоким временным разрешением, который позволял измерять релаксационные времена до 150 пс с погрешностью не более 20%. Верхний предел температуры определялся временным разрешением спектрометра. Исследования проводились на высококачественных образцах с поверхностной концентрацией носителей ns = 4,2 1011 см-2 и подвижностью m = 7 105 см2В-1с-1 (при Т = 4,2К). В квазиравновесных условиях из температурной зависимости tе определен предел подвижности при низких температурах (T<4.2 K), связанный с рассеянием на пьезоакустическом потенциале, получено время неупругой релаксации, связанное с рассеянием на деформационном потенциале (15 K25 K), получено характерное время испускания оптического фонона (tLO>4,5пс), которое существенно превышает время сронтанного излучения оптического фонона (примерно в 30 раз), что связано с большой ролью процессов перепоглащения фононов электронами.При низких температурах проведены измерения tе в условиях сильного разогрева. Полученные значения tе и зависимость tе от температуры электронов Те совпадают с tе(Т) в квазиравновесных условиях при Т=Те. Из полученных значений tе(Те) построена зависимость мощности энергетических потерь от Те, которая хорошо согласуется с литературными данными.Начаты измерения в магнитном поле, которые показывают переспективность использованного нами метода измерений как в области слабых магнитных полей при факторе заполнения >10, так и в области сильных магнитных полей при факторе заполнения >1-2.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language (down) Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Отчет о НИР/НИОКР; РФФИ: 95-02-06409-а; Approved no  
  Call Number Serial 1831  
Permanent link to this record
 

 
Author Гольцман, Г. Н.; Смирнов, К. В. url  openurl
  Title По итогам проектов российского фонда фундаментальных исследований. Проект РФФИ # 98-02-16897 Электрон-фононное взаимодействие в двумерном электронном газе полупроводниковых гетероструктур при низких температурах Type Journal Article
  Year 2001 Publication Письма в ЖЭТФ Abbreviated Journal Письма в ЖЭТФ  
  Volume 74 Issue 9 Pages 532-538  
  Keywords 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures  
  Abstract Рассмотрены теоретические и экспериментальные работы, посвященные изучению электрон-фононного взаимодействия в двумерном электронном газе полупроводниковых гетероструктур при низких температурах в случае сильного разогрева в электрическом поле, в квазиравновесных условиях и в квантующем магнитном поле, перпендикулярном 2D слою.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language (down) Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Duplicated as 1541: “Electron-phonon interaction in a two-dimensional electron gas of semiconductor heterostructures at low temperatures” Approved no  
  Call Number Serial 1832  
Permanent link to this record
Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print

Save Citations:
Export Records: