RpLab Home

Bibliography database of Radiophysics Laboratory (RpLab)

Home |  Show All |  Simple Search |  Advanced Search
Quick Search:
6-10 of 17 records found matching your query:
toggle visibility Search & Display Options
Select All    Deselect All << 1 2 3 4 >>
List View
 | 
Citations
 | 
Details
   print
  Records Links
Author Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. url  openurl
  Title Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge Type Journal Article
  Year 1990 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 24 Issue 10 Pages 1881-1883  
  Keywords impurities, photoconductivity, Ge, capture of free carriers, magnetic field  
  Abstract Цель настоящей работы — измерение кинетики примесной фотопроводи­мости в квантующих магнитных полях.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language (down) Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1755  
Permanent link to this record
 
 
Author Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б. url  openurl
  Title Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах Type Journal Article
  Year 1990 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 24 Issue 1 Pages 3-24  
  Keywords compensated n-InSb, impurities  
  Abstract Представлен обзор результатов цикла исследований природы электропроводности предельно очищенных образцов антимонида индия n-типа. Рассмотрены способы определения концентрации доноров и степени компенсации в этом материале, обсуждается роль свободных и локализованных на донорах электронов в электропроводности при гелиевых температурах. Обсуждение основано на анализе результатов исследования гальваномагнитных явлений, поглощения СВЧ излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов и ультразвука. Рассмотрены способы определения характеристик материала на основе комплекса результатов, полученных с помощью указанных методов. Обсуждается также фотопроводимость по примесям в n-InSb.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language (down) Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1756  
Permanent link to this record
 
 
Author Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. url  openurl
  Title Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов Type Journal Article
  Year 2010 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal  
  Volume 44 Issue 11 Pages 1475-1478  
  Keywords 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures mixers  
  Abstract Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3·105 см2/В·с при 4.2 K.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language (down) Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Duplicated as 1216 Approved no  
  Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 702  
Permanent link to this record
 
 
Author Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. url  openurl
  Title Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках Type Journal Article
  Year 1989 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 23 Issue 2 Pages 338-345  
  Keywords weakly compensated Si, Ge, doped, Hall mobility  
  Abstract На примере легированного и слабо компенсированного Si⟨B⟩ проведены исследования особенностей температурной зависимости подвижности при различных механизмах рассеяния. Уточнен метод определения концентрации компенсирующей примеси по μI(T). Полученные результаты обсуждаются и для Ge.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language (down) Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1758  
Permanent link to this record
 
 
Author Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З. url  openurl
  Title Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ Type Journal Article
  Year 1986 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 20 Issue 1 Pages 99-103  
  Keywords n-Ge, Hubbard upper zone conductivity, negative magnetoresistance  
  Abstract В рамках теории квантовых поправок к проводимости объяснено отрицательное магнитосопротивление в n-Ge с концентрацией доноров Nd≃2.8⋅1016÷1.1⋅1017см−3, наблюдаемое в диапазоне температур 4.2−10 K, когда основной вклад в проводимость дают электроны верхней зоны Хаббарда. Показано, что время релаксации фазы волновой функции τφ определяется временем электрон-фононного взаимодействия τeph.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language (down) Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1759  
Permanent link to this record
Select All    Deselect All << 1 2 3 4 >>
List View
 | 
Citations
 | 
Details
   print
toggle visibility
Save Citations:
Export Records:
Home CQL Search  |  Library Search  |  Show Record  |  Extract Citations Help