Records |
Author |
Корнеева, Ю. П.; Михайлов, М. М.; Манова, Н. Н.; Дивочий, А. А.; Корнеев, А. А.; Вахтомин, Ю. Б.; Першин, Ю. П.; Гольцман, Г. Н. |
Title |
Сверхпроводниковый однофотонный детектор на основе аморфных пленок MoSi |
Type |
Conference Article |
Year |
2014 |
Publication |
Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» |
Abbreviated Journal |
|
Volume |
1 |
Issue |
|
Pages |
53-54 |
Keywords |
MoSi SSPD |
Abstract |
Нами были изготовлены и исследованы однофотонные детекторы на основе сверхпроводящих пленок Mo x Si 1-x двух различных стехиометрий: Mo 3 Si и Mo 4 Si. При температуре 1.7 К лучшие детекторы площадью 7 мкм*7 мкм на основе этих пленок продемонстрировали системную квантовую эффективность 18% при скорости темнового счета 10 с -1 на длине волны 1.2 мкм с использованием неполяризованного источника, длительность импульса – 6 нс, джиттер – 120 пс. |
Address |
Нижний Новгород, Россия |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1836 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Ларионов, П.А.; Рябчун, С.А.; Финкель, М.И.; Гольцман, Г.Н. |
Title |
Вывешенный сверхпроводящий детектор терагерцового диапазона |
Type |
Journal Article |
Year |
2011 |
Publication |
Труды Московского физико-технического института |
Abbreviated Journal |
Труды МФТИ |
Volume |
3 |
Issue |
2 |
Pages |
29-30 |
Keywords |
вывешенный болометр, терагерцовый диапазон, сверхпроводящие пленки |
Abstract |
Рассматриваются технологические особенности создания чувствительного вывешен- ного детектора терагерцевого диапазона на основе плёнки MoRe. Предлагается воз- можный маршрут создания такого детектора и поясняется выбор материалов, ис- пользуемых для создания детектора. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
645 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Масленникова, А. В.; Рябчун, С. А.; Финкель, М. И.; Каурова, Н. С.; Исупова, А. А.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н. |
Title |
Широкополосные смесители на горячих электронах на основе NbN наноструктур |
Type |
Journal Article |
Year |
2011 |
Publication |
Труды Московского физико-технического института |
Abbreviated Journal |
Труды МФТИ |
Volume |
3 |
Issue |
2 |
Pages |
31-34 |
Keywords |
HEB mixer |
Abstract |
Мы приводим данные исследования полосы преобразования смесителей на горячих электронах (hot-electron bolometer, НЕВ), изготовленных на основе тонких пленок NbN. Зависимость полосы преобразования от длины смесительного элемента находится в прекрасном согласии с результатами теоретической модели HEB-смесителя, в котором энергетическая релаксация электронов одновременно происходит по двум каналам: фононному и диффузионному. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
646 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Флоря, И.Н.; Корнеева, Ю.П.; Корнеев, А.А.; Гольцман, Г.Н. |
Title |
Сверхпроводниковый однофотонный детектор для среднего инфракрасного диапазона на основе узких параллельных полосок |
Type |
Journal Article |
Year |
2011 |
Publication |
Труды Московского физико-технического института |
Abbreviated Journal |
Труды МФТИ |
Volume |
3 |
Issue |
2 |
Pages |
14-17 |
Keywords |
SSPD |
Abstract |
Мы рассматриваем ультрабыстрый сверхпроводниковый однофотонный детектор (SSPD). SSPD представляет собой тонкопленочную наноструктуру — очень узкую и длинную полоску сверхпроводника, изогнутую в виде меандра, изготовленную из пленки NbN толщиной 4 нм, нанесенной на сапфировую подложку. SSPD хорошо сопрягается с оптоволокном и легко может быть интегрирован в полностью готовую для работы приемную систему. В стремлении продвинуться в средний ИК диапозон нам удалось разработать SSPD в виде параллельно соединенных полосок с шириной полоски всего 50 нм и сохранить при этом сверхпроводящие свойства. Эти детекторы показывают более чем на порядок большую чувствительность на длине волны 3;5 мкм, чем SSPD в виде меандра. Полученные результаты открывают путь к эффективным детекторам среднего ИК-диапазона, обладающим скоростью счета свыше 1 ГГц. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
706 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Пентин, И. В.; Смирнов, К. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, А. В.; Ожегов, Р. В.; Дивочий, А. В.; Гольцман, Г. Н. |
Title |
Быстродействующий терагерцевый приемник и инфракрасный счетчик одиночных фотонов на эффекте разогрева электронов в сверхпроводниковых тонкопленочных наноструктурах |
Type |
Journal Article |
Year |
2011 |
Publication |
Труды МФТИ |
Abbreviated Journal |
Труды МФТИ |
Volume |
3 |
Issue |
2 |
Pages |
38-42 |
Keywords |
SSPD, SNSPD, HEB |
Abstract |
Представлены результаты создания приемных систем терагерцевого диапазона (0.3-70 ТГц), обладающих рекордным быстродействием (50 пс) и высокой чувствительностью (до 5x 10^(-14) Вт/Гц^(1/2)), а также однофотонных приемных систем ближнего инфракрасного диапазона с квантовой эффективностью 25 %, уровнем темнового счета 10-1c., максимальной скоростью счета ~ 100 МГц и временным разрешением до 50 пс. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
707 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. |
Title |
Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов |
Type |
Journal Article |
Year |
2010 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
|
Volume |
44 |
Issue |
11 |
Pages |
1475-1478 |
Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures mixers |
Abstract |
Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3·105 см2/В·с при 4.2 K. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
Duplicated as 1216 |
Approved |
no |
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
702 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.; Ригер, Е. Р. |
Title |
Оже-рекомбинация свободных носителей на мелких донорах в германии |
Type |
Journal Article |
Year |
1984 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
18 |
Issue |
9 |
Pages |
1684-1686 |
Keywords |
Ge, free carrier recombination |
Abstract |
|
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1710 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
Title |
Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge |
Type |
Journal Article |
Year |
1989 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
23 |
Issue |
8 |
Pages |
1356-1361 |
Keywords |
Ge, crystallography |
Abstract |
Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
Duplicated as 1692 |
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1691 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Кагане, М. Л.; Мултановский, В. В.; Птицина, Н. Г. |
Title |
Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках |
Type |
Journal Article |
Year |
1983 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
17 |
Issue |
8 |
Pages |
1430-1437 |
Keywords |
BWO spectroscopy, pure semiconductors, residual impurities |
Abstract |
|
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
Duplicated as 1714 |
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1712 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Title |
Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе |
Type |
Journal Article |
Year |
1991 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
25 |
Issue |
11 |
Pages |
1986-1998 |
Keywords |
n-InSb mixer |
Abstract |
Проведено комплексное исследование n-InSb смесителя на λ=2.6 мм, включающее в себя исследование вольт-амперных характеристик при E=0−2 В/см, температурной зависимости проводимости в диапазоне T=1.6−20 K, высокочастотной проводимости при f=0.5−10 МГц и магнитосопротивления при H=0−5 кЭ. Показано, что в оптимальном режиме механизм преобразования частоты связан с фотоионизационными процессами при прыжковой фотопроводимости (ПФП). На основе модели ПФП рассчитан коэффициент преобразования смесителя и произведено сопоставление его с экспериментом. Показана несостоятельность модели преобразования частоты в компенсированном n-InSb (K≥0.8), основанной на разогреве электронов. Обсуждены требования к параметрам материала и режимам n-InSb смесителя миллиметрового диапазона волн. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1753 |
Permanent link to this record |