|
Voevodin, E. I., Gershenzon, E. M., Goltsman, G. N., & Ptitsina, N. G. (1989). Energy-spectrum of shallow acceptors in Ge deformed strongly by a uniaxial pressure. Sov. Phys. and Technics of Semiconductors, 23(8), 843–846.
Abstract: Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1.
|
|
|
Gershenzon, E. M., Gershenson, M. E., Goltsman, G. N., Karasik, B. S., Lyulkin, A. M., & Semenov, A. D. (1989). Fast-response superconducting electron bolometer. Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15(3), 88–92.
Abstract: The general design, operation, and performance characteristics of fast-response electronic bolometers using a thin superconducting Nb film on a leucosapphire substrate are briefly reviewed. The volt-watt sensitivity of the bolometrs is 2,000-200,000 V/W, the operating temperature is 1.6 K, and the time constant is 4-4.5 ns.
|
|
|
Aksaev, E. E., Gershenzon, E. M., Gershenson, M. E., Goltsman, G. N., Semenov, A. D., & Sergeev, A. V. (1989). Prospects for using high-temperature superconductors to create electron bolometers. Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15(14), 88–93.
|
|
|
Гершензон, Е. М., Семенов, И. Т., & Фогельсон, М. С. (1985). Спин-решеточная релаксация доноров фосфора в кремнии при одноосной деформации образца. Физика и техника полупроводников, 19(9), 1696–1698.
|
|
|
Гершензон, Е. М., Семенов, И. Т., & Фогельсон, М. С. (1984). О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора в кремнии. Физика и техника полупроводников, 18(3), 421–425.
Abstract: Температурная зависимость ширины линии ЭПР доноров Р в Si исследована в интервале концентрации ND=2.5⋅1017−9⋅1017см−3 и температур T=1.7−45 K на образцах с различной степенью компенсации основной примеси. Результаты согласуются с моделью обменного сужения линии при учете температурной зависимости обменного интеграла и тем самым исключают предлагавшийся ранее механизм сужения линии вследствие прыжкового движения электронов по примесным центрам.
|
|