| |
Records |
Links |
|
Author |
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
|
| |
Title |
Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
1989 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
|
| |
Volume  |
23 |
Issue |
8 |
Pages |
1356-1361 |
|
| |
Keywords |
Ge, crystallography |
|
| |
Abstract |
Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
Duplicated as 1692 |
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1691 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. |
|
| |
Title |
Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
1989 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
|
| |
Volume |
23 |
Issue |
2 |
Pages |
338-345 |
|
| |
Keywords |
weakly compensated Si, Ge, doped, Hall mobility |
|
| |
Abstract |
На примере легированного и слабо компенсированного Si⟨B⟩ проведены исследования особенностей температурной зависимости подвижности при различных механизмах рассеяния. Уточнен метод определения концентрации компенсирующей примеси по μI(T). Полученные результаты обсуждаются и для Ge. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1758 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З. |
|
| |
Title |
Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
1986 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
|
| |
Volume |
20 |
Issue |
1 |
Pages |
99-103 |
|
| |
Keywords |
n-Ge, Hubbard upper zone conductivity, negative magnetoresistance |
|
| |
Abstract |
В рамках теории квантовых поправок к проводимости объяснено отрицательное магнитосопротивление в n-Ge с концентрацией доноров Nd≃2.8⋅1016÷1.1⋅1017см−3, наблюдаемое в диапазоне температур 4.2−10 K, когда основной вклад в проводимость дают электроны верхней зоны Хаббарда. Показано, что время релаксации фазы волновой функции τφ определяется временем электрон-фононного взаимодействия τeph. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1759 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. |
|
| |
Title |
Спин-решеточная релаксация доноров фосфора в кремнии при одноосной деформации образца |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
1985 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
|
| |
Volume |
19 |
Issue |
9 |
Pages |
1696-1698 |
|
| |
Keywords |
uniaxial pressure, Ge, phosphorus donors, spin-lattice relaxation |
|
| |
Abstract |
|
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1760 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.; Ригер, Е. Р. |
|
| |
Title |
Оже-рекомбинация свободных носителей на мелких донорах в германии |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
1984 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
|
| |
Volume |
18 |
Issue |
9 |
Pages |
1684-1686 |
|
| |
Keywords |
Ge, free carrier recombination |
|
| |
Abstract |
|
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1710 |
|
| Permanent link to this record |
