|
|
Гершензон ЕМ, Гольцман ГН, Елантьев АИ, Карасик БС, Потоскуев СЭ. Разогрев электронов в резистивном состоянии сверхпроводника электромагнитным излучением значительной интенсивности. Физика низких температур. 1988;14(7):753–63.
|
|
|
|
Гольцман ГН, Птицина НГ, Ригер ЕР. Оже-рекомбинация свободных носителей на мелких донорах в германии. Физика и техника полупроводников. 1984;18(9):1684–6.
|
|
|
|
Воеводин ЕИ, Гершензон ЕМ, Гольцман ГН, Птицина НГ. Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge. Физика и техника полупроводников. 1989;23(8):1356–61.
Abstract: Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1.
|
|
|
|
Гершензон ЕМ, Гольцман ГН, Елантьев АИ, Кагане МЛ, Мултановский ВВ, Птицина НГ. Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках. Физика и техника полупроводников. 1983;17(8):1430–7.
|
|
|
|
Воеводин ЕИ, Гершензон ЕМ, Гольцман ГН, Птицина НГ. Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge. Физика и техника полупроводников. 1990;24(10):1881–3.
Abstract: Цель настоящей работы — измерение кинетики примесной фотопроводимости в квантующих магнитных полях.
|
|
|
|
Масленникова АВ, Рябчун СА, Финкель МИ, Каурова НС, Исупова АА, Воронов БМ, et al. Широкополосные смесители на горячих электронах на основе NbN наноструктур. Труды МФТИ. 2011;3(2):31–4.
Abstract: Мы приводим данные исследования полосы преобразования смесителей на горячих электронах (hot-electron bolometer, НЕВ), изготовленных на основе тонких пленок NbN. Зависимость полосы преобразования от длины смесительного элемента находится в прекрасном согласии с результатами теоретической модели HEB-смесителя, в котором энергетическая релаксация электронов одновременно происходит по двум каналам: фононному и диффузионному.
|
|
|
|
Пентин ИВ, Смирнов КВ, Вахтомин ЮБ, Смирнов АВ, Ожегов РВ, Дивочий АВ, et al. Быстродействующий терагерцевый приемник и инфракрасный счетчик одиночных фотонов на эффекте разогрева электронов в сверхпроводниковых тонкопленочных наноструктурах. Труды МФТИ. 2011;3(2):38–42.
Abstract: Представлены результаты создания приемных систем терагерцевого диапазона (0.3-70 ТГц), обладающих рекордным быстродействием (50 пс) и высокой чувствительностью (до 5x 10^(-14) Вт/Гц^(1/2)), а также однофотонных приемных систем ближнего инфракрасного диапазона с квантовой эффективностью 25 %, уровнем темнового счета 10-1c., максимальной скоростью счета ~ 100 МГц и временным разрешением до 50 пс.
|
|
|
|
Симонов НО, Флоря ИН, Корнеева ЮП, Корнеев АА, Гольцман ГН. Однофотонный отклик в тонких сверхпроводящих MoNx пленках. In: Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт.; 2018. p. 408–9.
Abstract: Продемонстрирован однофотонный отклик, при токе близком к критическому, в MoNx сверхпроводящих полосках шириной 70-104 нм. MoNx детекторы, имеющие коэффициент диффузии D≈0.32 см2/с и время электрон-фононного взаимодействия ηe-ph≈300 пс, достигают квантовой эффективности QE≈20% на длине волны λ=1550 нм. Возможность реализации однофотонного детектора в данном материале, подтверждает существующую теорию вихревого механизма возникновения фотоотклика в узких сверхпроводящих полосках.
|
|
|
|
Ожегов РВ, Окунев ОВ, Гольцман ГН, Филиппенко ЛВ, Кошелец ВП. Флуктуационная чувствительность сверхпроводящего интегрального приемника терагерцового диапазона частот. Радиотех электроник. 2009;54(6):750–5.
Abstract: Исследована зависимость флуктуационной чувствительности сверхпроводящего интегрального приемника (СИП) от шумовой температуры приемника и величины входного сигнала. Измерена рекордная флуктуационная чувствительность приемника (13 ± 2 мК), полученная при шумовой температуре приемника 200 К, ширине полосы промежуточных частот 4 ГГц и постоянной времени 1 с. При уменьшении входного сигнала наблюдалось улучшение флуктуационной чувствительности; предложено обÑŠяснение полученного эффекта: причиной является уменьшение влияния нестабильностей источников питания приемника и усилительного тракта при снижении входного сигнала.
|
|
|
|
Гольцман ГН, Разумовская ИВ, Окунев ОВ, Чулкова ГМ, Корнеев АА, Финкель МИ, et al. Сборник программ учебных дисциплин профессионального цикла подготовки магистров и бакалавров по направлению «Физика». Прометей. 2011:67.
|
|
