Елманов ИА, Елманова АВ, Голиков АД, Комракова СА, Каурова НС, Ковалюк ВВ, et al. Способ определения параметров резистов для электронной литографии фотонных интегральных схем на платформе нитрида кремния. In: Proc. IWQO.; 2019. p. 306–8.
Abstract: В работе были измерены толщины резистов ZEP 520A и ma-N 2400 для электронно-лучевой литографии, неразрушающим способом, а также подобран рецепт, обеспечивающий высокое отношение скорости травления нитрида кремния по сравнению с резистом. Работа имеет практическое значение для электронной литографии интегрально-оптических устройств и устройств нанофотоники на основе нитрида кремния.
|
Корнеева ЮП, Флоря ИН, Корнеев АА, Гольцман ГН. Cверхпроводящий однофотонный детектор для дальнего ИК диапазона длин волн. In: Науч. сессия НИЯУ МИФИ.; 2010. p. 46–7.
Abstract: Мы представляем быстродействующий сверхпроводниковый однофотонный детектор (SSPD) для дальнего инфракрасного диапазона на основе ультратонкой монокристаллической пленки NbN толщиной 3 нм, состоящий из параллельных полосок. QE на длине волны 1,5.μм и 1,3 μм для предложенного SSPD практически одинаковы. SSPD показывает отклик длительностью 200 пс, что открывает путь к детекторам, обладающим скоростью счета свыше 1 ГГц.
|
|
Манова НН, Корнеева ЮП, Корнеев АА Гольцман Г. Н. Cверхпроводящий однофотонный детектор, интегрированный с оптическим резонатором. In: Науч. сессия НИЯУ МИФИ.; 2010. p. 92–3.
|
|
Елезов МС, Тархов МА, Дивочий АВ, Вахтомин ЮБ, Гольцман ГН. Система регистрации одиночных фотонов в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах. In: Науч. сессия НИЯУ МИФИ.; 2010. p. 94–5.
|
Симонов НО, Флоря ИН, Корнеева ЮП, Корнеев АА, Гольцман ГН. Однофотонный отклик в тонких сверхпроводящих MoNx пленках. In: Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт.; 2018. p. 408–9.
Abstract: Продемонстрирован однофотонный отклик, при токе близком к критическому, в MoNx сверхпроводящих полосках шириной 70-104 нм. MoNx детекторы, имеющие коэффициент диффузии D≈0.32 см2/с и время электрон-фононного взаимодействия ηe-ph≈300 пс, достигают квантовой эффективности QE≈20% на длине волны λ=1550 нм. Возможность реализации однофотонного детектора в данном материале, подтверждает существующую теорию вихревого механизма возникновения фотоотклика в узких сверхпроводящих полосках.
|
