|
|
Bondarenko OI, Gershenzon EM, Gurvich YA, Orlova SL, Ptitsina NG. Measurement of the width of the cyclotron resonance line of n-type Ge in quantizing magnetic fields. Presumably: Sov Phys Semicond | Физика и техника полупроводников. 1972;6:362–3.
|
|
|
|
Банная ВФ, Веселова ЛИ, Гершензон ЕМ. Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии. Физика и техника полупроводников. 1983;17(10):1896–8.
|
|
|
|
Гольцман ГН, Птицина НГ, Ригер ЕР. Оже-рекомбинация свободных носителей на мелких донорах в германии. Физика и техника полупроводников. 1984;18(9):1684–6.
|
|
|
|
Банная ВФ, Веселова ЛИ, Гершензон ЕМ, Гусинский ЭН, Литвак-Горская ЛБ. Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла. Физика и техника полупроводников. 1990;24(12):2145–50.
Abstract: На примере p-Si⟨B,\,Ga⟩ с различной степенью компенсации проведена сравнительная оценка точности определения раздельной концентрации примесей по температурной зависимости концентрации дырок p(T) в случае одной и двух легирующих примесей с энергиями ионизации, различающимися менее чем в 2 раза. Исследована функция среднеквадратичного отклонения в пространстве параметров D(Nк, N2) (Nк, N1 и N2 — концентрации компенсирующих примесей бора и галлия соответственно, N2≫N1) в предположении, что N2, энергии B и Ga известны. Показано, что в случае двух легирующих примесей D(Nк, N1) в окрестностях минимума имеет «овражный» рельеф и при некоторых соотношениях между Nк и N1 разброс искомых величин превышает порядок, причем увеличение точности измерений p(T) существенного улучшения в вычислении параметров не дает. При одной легирующей примеси точность вычисления параметров высокая.
|
|
|
|
Воеводин ЕИ, Гершензон ЕМ, Гольцман ГН, Птицина НГ. Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge. Физика и техника полупроводников. 1990;24(10):1881–3.
Abstract: Цель настоящей работы — измерение кинетики примесной фотопроводимости в квантующих магнитных полях.
|
|
