Гершензон ЕМ. Воздействие электромагнитного излучения на сверхпроводящую плёнку ниобия в резистивном состоянии. In: Тезисы докладов 22 Всесоюзной конференции по физике низких температур.; 1982. p. 79–80.
|
Гершензон ЕМ, Гершензон МЕ, Гольцман ГН, Семенов АД, Сергеев АВ. Неселективное воздействие электромагнитного излучения на сверхпроводящую пленку в резистивном состоянии. Письма в ЖЭТФ. 1982;36(7):241–4.
|
Гершензон ЕМ, Гершензон МЕ, Гольцман ГН, Люлькин АМ, Семенов АД, Сергеев АВ. О предельных характеристиках быстродействующих серхпроводниковых болометров. Журнал технической физики. 1989;59(2):111–20.
Abstract: Теоретически и экспериментально исследовано физическое ограничение быстродействия сверхпроводящего болометра. Показано, что минимальная постоянная времени реализуется в условиях электронного разогрева и определяется процессом неупругого электрон-фонон- ного взаимодействия. Сформулированы требования кконструкции «электронного болометра» для достижения предельной чувствительности. Проведено сравнение характеристик электронного болометра и обычных болометров различных типов.
|
Гершензон ЕМ, Семенов ИТ, Фогельсон МС. Спин-решеточная релаксация доноров фосфора в кремнии при одноосной деформации образца. Физика и техника полупроводников. 1985;19(9):1696–8.
|
Гершензон ЕМ, Семенов ИТ, Фогельсон МС. О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора в кремнии. Физика и техника полупроводников. 1984;18(3):421–5.
Abstract: Температурная зависимость ширины линии ЭПР доноров Р в Si исследована в интервале концентрации ND=2.5⋅1017−9⋅1017см−3 и температур T=1.7−45 K на образцах с различной степенью компенсации основной примеси. Результаты согласуются с моделью обменного сужения линии при учете температурной зависимости обменного интеграла и тем самым исключают предлагавшийся ранее механизм сужения линии вследствие прыжкового движения электронов по примесным центрам.
|