Home << 1 2 3 4 >>
List View
 | 
Citations
 | 
Details
   web
Records
Author Гершензон, Е. М.; Гершензон, М. Е.; Гольцман, Г. Н.; Семенов, А. Д.; Сергеев, А. В.
Title Неселективное воздействие электромагнитного излучения на сверхпроводящую пленку в резистивном состоянии Type Journal Article
Year 1982 Publication Письма в ЖЭТФ Abbreviated Journal Письма в ЖЭТФ
Volume 36 Issue 7 Pages 241-244
Keywords (up)
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1717 Approved no
Call Number MSPU @ s @ Serial 225
Permanent link to this record
 
 
Author Гершензон, Е. М.
Title Воздействие электромагнитного излучения на сверхпроводящую плёнку ниобия в резистивном состоянии Type Conference Article
Year 1982 Publication Тезисы докладов 22 Всесоюзной конференции по физике низких температур Abbreviated Journal
Volume Issue Pages 79-80
Keywords (up)
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 231
Permanent link to this record
 
 
Author Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Гершензон, Е. М.; Птицина, Н. Г.; Смирнов, К. В.; Чулкова, Г. М.
Title Исследования процессов неупругой релаксации и примесная спектроскопия-релаксометрия в двумерном электронном газе в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами Type Report
Year 1995 Publication Abbreviated Journal
Volume Issue Pages
Keywords (up)
Abstract В гетероструктурах GaAs/AlGaAs впервые прямым методом измерена температурная зависимость вpемени энеpгетической pелаксации двумерного электронного газа te(T) в широком диапазоне температур Т=1,5 – 50 К в квазиравновесных условиях. Для измерений использовался высокочувствительный спектрометр миллиметрового диапазона волн с высоким временным разрешением, который позволял измерять релаксационные времена до 150 пс с погрешностью не более 20%. Верхний предел температуры определялся временным разрешением спектрометра. Исследования проводились на высококачественных образцах с поверхностной концентрацией носителей ns = 4,2 1011 см-2 и подвижностью m = 7 105 см2В-1с-1 (при Т = 4,2К). В квазиравновесных условиях из температурной зависимости tе определен предел подвижности при низких температурах (T<4.2 K), связанный с рассеянием на пьезоакустическом потенциале, получено время неупругой релаксации, связанное с рассеянием на деформационном потенциале (15 K25 K), получено характерное время испускания оптического фонона (tLO>4,5пс), которое существенно превышает время сронтанного излучения оптического фонона (примерно в 30 раз), что связано с большой ролью процессов перепоглащения фононов электронами.При низких температурах проведены измерения tе в условиях сильного разогрева. Полученные значения tе и зависимость tе от температуры электронов Те совпадают с tе(Т) в квазиравновесных условиях при Т=Те. Из полученных значений tе(Те) построена зависимость мощности энергетических потерь от Те, которая хорошо согласуется с литературными данными.Начаты измерения в магнитном поле, которые показывают переспективность использованного нами метода измерений как в области слабых магнитных полей при факторе заполнения >10, так и в области сильных магнитных полей при факторе заполнения >1-2.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Отчет о НИР/НИОКР; РФФИ: 95-02-06409-а; Approved no
Call Number Serial 1831
Permanent link to this record
 
 
Author Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Кагане, М. Л.; Мултановский, В. В.; Птицина, Н. Г.
Title Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках Type Journal Article
Year 1983 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 17 Issue 8 Pages 1430-1437
Keywords (up) BWO spectroscopy, pure semiconductors, residual impurities
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1714 Approved no
Call Number Serial 1712
Permanent link to this record
 
 
Author Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Рабинович, Р. И.
Title Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда Type Journal Article
Year 1983 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 17 Issue 10 Pages 1873-1876
Keywords (up) compensated n-InSb, Hubbard upper zone conductivity, negative magnetoresistance
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1763
Permanent link to this record