toggle visibility Search & Display Options

Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print
  Records Links
Author Гершензон, Е. М.; Гершензон, М. Е.; Гольцман, Г. Н.; Семенов, А. Д.; Сергеев, А. В. url  openurl
  Title Неселективное воздействие электромагнитного излучения на сверхпроводящую пленку в резистивном состоянии Type Journal Article
  Year 1982 Publication Письма в ЖЭТФ Abbreviated Journal Письма в ЖЭТФ  
  Volume 36 Issue 7 Pages 241-244  
  Keywords (up)  
  Abstract  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Duplicated as 1717 Approved no  
  Call Number MSPU @ s @ Serial 225  
Permanent link to this record
 

 
Author Гершензон, Е. М. openurl 
  Title Воздействие электромагнитного излучения на сверхпроводящую плёнку ниобия в резистивном состоянии Type Conference Article
  Year 1982 Publication Тезисы докладов 22 Всесоюзной конференции по физике низких температур Abbreviated Journal  
  Volume Issue Pages 79-80  
  Keywords (up)  
  Abstract  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 231  
Permanent link to this record
 

 
Author Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Гершензон, Е. М.; Птицина, Н. Г.; Смирнов, К. В.; Чулкова, Г. М. url  openurl
  Title Исследования процессов неупругой релаксации и примесная спектроскопия-релаксометрия в двумерном электронном газе в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами Type Report
  Year 1995 Publication Abbreviated Journal  
  Volume Issue Pages  
  Keywords (up)  
  Abstract В гетероструктурах GaAs/AlGaAs впервые прямым методом измерена температурная зависимость вpемени энеpгетической pелаксации двумерного электронного газа te(T) в широком диапазоне температур Т=1,5 – 50 К в квазиравновесных условиях. Для измерений использовался высокочувствительный спектрометр миллиметрового диапазона волн с высоким временным разрешением, который позволял измерять релаксационные времена до 150 пс с погрешностью не более 20%. Верхний предел температуры определялся временным разрешением спектрометра. Исследования проводились на высококачественных образцах с поверхностной концентрацией носителей ns = 4,2 1011 см-2 и подвижностью m = 7 105 см2В-1с-1 (при Т = 4,2К). В квазиравновесных условиях из температурной зависимости tе определен предел подвижности при низких температурах (T<4.2 K), связанный с рассеянием на пьезоакустическом потенциале, получено время неупругой релаксации, связанное с рассеянием на деформационном потенциале (15 K25 K), получено характерное время испускания оптического фонона (tLO>4,5пс), которое существенно превышает время сронтанного излучения оптического фонона (примерно в 30 раз), что связано с большой ролью процессов перепоглащения фононов электронами.При низких температурах проведены измерения tе в условиях сильного разогрева. Полученные значения tе и зависимость tе от температуры электронов Те совпадают с tе(Т) в квазиравновесных условиях при Т=Те. Из полученных значений tе(Те) построена зависимость мощности энергетических потерь от Те, которая хорошо согласуется с литературными данными.Начаты измерения в магнитном поле, которые показывают переспективность использованного нами метода измерений как в области слабых магнитных полей при факторе заполнения >10, так и в области сильных магнитных полей при факторе заполнения >1-2.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Отчет о НИР/НИОКР; РФФИ: 95-02-06409-а; Approved no  
  Call Number Serial 1831  
Permanent link to this record
 

 
Author Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Кагане, М. Л.; Мултановский, В. В.; Птицина, Н. Г. url  openurl
  Title Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках Type Journal Article
  Year 1983 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 17 Issue 8 Pages 1430-1437  
  Keywords (up) BWO spectroscopy, pure semiconductors, residual impurities  
  Abstract  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Duplicated as 1714 Approved no  
  Call Number Serial 1712  
Permanent link to this record
 

 
Author Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Рабинович, Р. И. url  openurl
  Title Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда Type Journal Article
  Year 1983 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 17 Issue 10 Pages 1873-1876  
  Keywords (up) compensated n-InSb, Hubbard upper zone conductivity, negative magnetoresistance  
  Abstract  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1763  
Permanent link to this record
Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print

Save Citations:
Export Records: