|   | 
Details
   web
Records
Author Елезов, М. С.; Щербатенко, М. Л.; Сыч, Д. В.; Гольцман, Г. Н.
Title Практические особенности работы оптоволоконного квантового приемника Кеннеди Type Conference Article
Year 2019 Publication Proc. IWQO Abbreviated Journal (up) Proc. IWQO
Volume Issue Pages 303-305
Keywords Kennedy quantum receiver, fiber, quantum optics, standard quantum limit, superconducting nanowire single-photon detector, coherent detection
Abstract Мы рассматриваем практические особенности работы квантового приемника на основе схемы Кеннеди, собранного из стандартных оптоволоконных элементов и сверхпроводникового детектора одиночных фотонов. Приемник разработан для различения двух фазовомодулированных когерентных состояний света на длине волны 1,5 микрона в непрерывном режиме с частотой модуляции 200 КГц и уровнем ошибок различения примерно в два раза ниже стандартного квантового предела.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1288 Approved no
Call Number Serial 1283
Permanent link to this record
 

 
Author Елманов, И. А.; Елманова, А. В.; Голиков, А. Д.; Комракова, С. А.; Каурова, Н. С.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.
Title Способ определения параметров резистов для электронной литографии фотонных интегральных схем на платформе нитрида кремния Type Conference Article
Year 2019 Publication Proc. IWQO Abbreviated Journal (up) Proc. IWQO
Volume Issue Pages 306-308
Keywords Si3N4, e-beam lithography, EBL
Abstract В работе были измерены толщины резистов ZEP 520A и ma-N 2400 для электронно-лучевой литографии, неразрушающим способом, а также подобран рецепт, обеспечивающий высокое отношение скорости травления нитрида кремния по сравнению с резистом. Работа имеет практическое значение для электронной литографии интегрально-оптических устройств и устройств нанофотоники на основе нитрида кремния.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1189 Approved no
Call Number Serial 1284
Permanent link to this record
 

 
Author Гершензон, Е. М.; Гершензон, М. Е.; Гольцман, Г. Н.; Люлькин, А. М.; Семенов, А. Д.; Сергеев, А. В.
Title О предельных характеристиках быстродействующих серхпроводниковых болометров Type Journal Article
Year 1989 Publication Журнал технической физики Abbreviated Journal (up) Журнал технической физики
Volume 59 Issue 2 Pages 111-120
Keywords HEB
Abstract Теоретически и экспериментально исследовано физическое ограничение быстродействия сверхпроводящего болометра. Показано, что минимальная постоянная времени реализуется в условиях электронного разогрева и определяется процессом неупругого электрон-фонон- ного взаимодействия. Сформулированы требования кконструкции «электронного болометра» для достижения предельной чувствительности. Проведено сравнение характеристик электронного болометра и обычных болометров различных типов.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 237 Approved no
Call Number Serial 238
Permanent link to this record
 

 
Author Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И.
Title Концентрационная зависимость полосы преобразования смесителей субмиллиметрового диапазона на основе наноструктур AlGaAs/GaAs Type Journal Article
Year 2010 Publication Изв. РАН Сер. Физ. Abbreviated Journal (up) Изв. РАН Сер. Физ.
Volume 74 Issue 1 Pages 110-112
Keywords 2DEG AlGaAs/GaAs heterostructures, THz heterodyne detectors, IF bandwidth
Abstract Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением при Т = 4.2 К измерена концентрационная зависимость полосы преобразования гетеродинного детектирования гетероструктур AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом. С увеличением концентрации двумерных электронов ns = (1.6–6.6) · 1011см-2 ширина полосы преобразования f3dB уменьшается от 245 до 145 МГц. В исследованной области концентраций наблюдается зависимость f3dB , обусловленная рассеянием электронов на деформационном потенциале акустических фононов и пьезоэлектрическим рассеянием.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1217 Approved no
Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 642
Permanent link to this record
 

 
Author Елезов, М. С.; Корнеев, А. А; Дивочий, А. В.; Гольцман, Г. Н.
Title Сверхпроводящие однофотонные детекторы с разрешением числа фотонов Type Conference Article
Year 2009 Publication Науч. сессия МИФИ Abbreviated Journal (up) Науч. сессия МИФИ
Volume Issue Pages 47-58
Keywords PNR SSPD, SNSPD
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN 978-5-7262-1042-1 Medium
Area Expedition Conference
Notes УДК 533.14(06)+004.056(06) Фотоника и информационная оптика Approved no
Call Number RPLAB @ sasha @ елезов2009сверхпроводящие Serial 1029
Permanent link to this record