| Records |
| Author |
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
| Title |
Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge |
Type |
Journal Article |
| Year |
1990 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
| Volume |
24 |
Issue |
10 |
Pages  |
1881-1883 |
| Keywords |
impurities, photoconductivity, Ge, capture of free carriers, magnetic field |
| Abstract |
Цель настоящей работы — измерение кинетики примесной фотопроводимости в квантующих магнитных полях. |
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
|
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1755 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.; Ригер, Е. Р. |
| Title |
Оже-рекомбинация свободных носителей на мелких донорах в германии |
Type |
Journal Article |
| Year |
1984 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
| Volume |
18 |
Issue |
9 |
Pages |
1684-1686 |
| Keywords |
Ge, free carrier recombination |
| Abstract |
|
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
|
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1710 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. |
| Title |
Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов |
Type |
Journal Article |
| Year |
2010 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
|
| Volume |
44 |
Issue |
11 |
Pages |
1475-1478 |
| Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures mixers |
| Abstract |
Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3·105 см2/В·с при 4.2 K. |
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
Duplicated as 1216 |
Approved |
no |
| Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
702 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Кагане, М. Л.; Мултановский, В. В.; Птицина, Н. Г. |
| Title |
Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках |
Type |
Journal Article |
| Year |
1983 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
| Volume |
17 |
Issue |
8 |
Pages |
1430-1437 |
| Keywords |
BWO spectroscopy, pure semiconductors, residual impurities |
| Abstract |
|
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
Duplicated as 1714 |
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1712 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
| Title |
Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge |
Type |
Journal Article |
| Year |
1989 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
| Volume |
23 |
Issue |
8 |
Pages |
1356-1361 |
| Keywords |
Ge, crystallography |
| Abstract |
Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1. |
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
Duplicated as 1692 |
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1691 |
| Permanent link to this record |
