Home << 1 2 >>
List View
 | 
Citations
 | 
Details
   web
Records
Author Проходцов, А. И.; Голиков, А. Д.; Ан, П. П.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.
Title Влияние покрытия из оксида кремния на эффективность фокусирующего решеточного элемента связи из нитрида кремния Type (up) Conference Article
Year 2019 Publication Proc. IWQO Abbreviated Journal Proc. IWQO
Volume Issue Pages 201-203
Keywords integrated optics, silicon nitride, focusing grating coupler
Abstract В работе экспериментально изучена зависимость эффективности фокусирующего решеточного элемента связи от периода и фактора заполнения до и после напыления верхнего слоя из оксида кремния. Полученные данные имеют практическое значение при создании перестраиваемых интегрально-оптических устройств на нитриде кремния.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1188 Approved no
Call Number Serial 1282
Permanent link to this record
 
 
Author Елманов, И. А.; Елманова, А. В.; Голиков, А. Д.; Комракова, С. А.; Каурова, Н. С.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.
Title Способ определения параметров резистов для электронной литографии фотонных интегральных схем на платформе нитрида кремния Type (up) Conference Article
Year 2019 Publication Proc. IWQO Abbreviated Journal Proc. IWQO
Volume Issue Pages 306-308
Keywords Si3N4, e-beam lithography, EBL
Abstract В работе были измерены толщины резистов ZEP 520A и ma-N 2400 для электронно-лучевой литографии, неразрушающим способом, а также подобран рецепт, обеспечивающий высокое отношение скорости травления нитрида кремния по сравнению с резистом. Работа имеет практическое значение для электронной литографии интегрально-оптических устройств и устройств нанофотоники на основе нитрида кремния.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1189 Approved no
Call Number Serial 1284
Permanent link to this record
 
 
Author Елманова, А.; Елманов, И.; Комракова, С.; Голиков, А.; Джавадзадэ, Д.; Воробьёв, В.; Большедворский, С.; Сошенко, В.; Акимов, А.; Ковалюк, В.; Гольцман, Г.
Title Способ интеграции наноалмазов с нанофотонными устройствами из нитрида кремния Type (up) Conference Article
Year 2019 Publication Proc. IWQO Abbreviated Journal Proc. IWQO
Volume Issue Pages 309-311
Keywords nanodiamonds, NV-centers
Abstract В работе были разработаны оптические структуры из нитрида кремния для дальнейшего размещения на них наноалмазов с NV-центрами, опробованы различные методики нанесения раствора наноалмазов и выбрана оптимальная. Работа имеет практическое значение в области нанофотоники и создании квантово-оптических устройств с однофотонными источниками.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1190 Approved no
Call Number Serial 1285
Permanent link to this record
 
 
Author Кардакова, А. И.; Финкель, М. И.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Ан, П. П.; Гольцман, Г. Н.
Title Время электрон-фононного взаимодействия в сверхпроводниковых пленках нитрида титана Type (up) Conference Article
Year 2014 Publication Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» Abbreviated Journal
Volume 1 Issue Pages 47-48
Keywords TiN films
Abstract Определены времена электрон-фононного взаимодействия в тонких сверхпроводниковых пленках нитрида титана. Измеренные значения τ_eph находятся в диапазоне от 5.5 нс до 88 нс при температурах 4,2 К и 1,7 К, соответственно, и соответствуют температурной зависимости Т^-3.
Address Нижний Новгород, Россия
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1835
Permanent link to this record
 
 
Author Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И.
Title Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов Type (up) Journal Article
Year 2010 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal
Volume 44 Issue 11 Pages 1475-1478
Keywords 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures mixers
Abstract Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3·105 см2/В·с при 4.2 K.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1216 Approved no
Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 702
Permanent link to this record