toggle visibility Search & Display Options

Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print
  Records Links
Author (down) Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Рабинович, Р. И. url  openurl
  Title Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда Type Journal Article
  Year 1983 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 17 Issue 10 Pages 1873-1876  
  Keywords compensated n-InSb, Hubbard upper zone conductivity, negative magnetoresistance  
  Abstract  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1763  
Permanent link to this record
 

 
Author (down) Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З. url  openurl
  Title Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ Type Journal Article
  Year 1986 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 20 Issue 1 Pages 99-103  
  Keywords n-Ge, Hubbard upper zone conductivity, negative magnetoresistance  
  Abstract В рамках теории квантовых поправок к проводимости объяснено отрицательное магнитосопротивление в n-Ge с концентрацией доноров Nd≃2.8⋅1016÷1.1⋅1017см−3, наблюдаемое в диапазоне температур 4.2−10 K, когда основной вклад в проводимость дают электроны верхней зоны Хаббарда. Показано, что время релаксации фазы волновой функции τφ определяется временем электрон-фононного взаимодействия τeph.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1759  
Permanent link to this record
 

 
Author (down) Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б. url  openurl
  Title Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе Type Journal Article
  Year 1991 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 25 Issue 11 Pages 1986-1998  
  Keywords n-InSb mixer  
  Abstract Проведено комплексное исследование n-InSb смесителя на λ=2.6 мм, включающее в себя исследование вольт-амперных характеристик при E=0−2 В/см, температурной зависимости проводимости в диапазоне T=1.6−20 K, высокочастотной проводимости при f=0.5−10 МГц и магнитосопротивления при H=0−5 кЭ. Показано, что в оптимальном режиме механизм преобразования частоты связан с фотоионизационными процессами при прыжковой фотопроводимости (ПФП). На основе модели ПФП рассчитан коэффициент преобразования смесителя и произведено сопоставление его с экспериментом. Показана несостоятельность модели преобразования частоты в компенсированном n-InSb (K≥0.8), основанной на разогреве электронов. Обсуждены требования к параметрам материала и режимам n-InSb смесителя миллиметрового диапазона волн.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1753  
Permanent link to this record
 

 
Author (down) Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Кагане, М. Л.; Мултановский, В. В.; Птицина, Н. Г. url  openurl
  Title Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках Type Journal Article
  Year 1983 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 17 Issue 8 Pages 1430-1437  
  Keywords BWO spectroscopy, pure semiconductors, residual impurities  
  Abstract  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Duplicated as 1714 Approved no  
  Call Number Serial 1712  
Permanent link to this record
 

 
Author (down) Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б. url  openurl
  Title Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах Type Journal Article
  Year 1990 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 24 Issue 1 Pages 3-24  
  Keywords compensated n-InSb, impurities  
  Abstract Представлен обзор результатов цикла исследований природы электропроводности предельно очищенных образцов антимонида индия n-типа. Рассмотрены способы определения концентрации доноров и степени компенсации в этом материале, обсуждается роль свободных и локализованных на донорах электронов в электропроводности при гелиевых температурах. Обсуждение основано на анализе результатов исследования гальваномагнитных явлений, поглощения СВЧ излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов и ультразвука. Рассмотрены способы определения характеристик материала на основе комплекса результатов, полученных с помощью указанных методов. Обсуждается также фотопроводимость по примесям в n-InSb.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1756  
Permanent link to this record
Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print

Save Citations:
Export Records: