Home << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> [11–20]
List View
 | 
Citations
 | 
Details
   web
Records
Author Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.; Ригер, Е. Р.
Title Оже-рекомбинация свободных носителей на мелких донорах в германии Type Journal Article
Year 1984 Publication (down) Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 18 Issue 9 Pages 1684-1686
Keywords Ge, free carrier recombination
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1710
Permanent link to this record
 
 
Author Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.
Title Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge Type Journal Article
Year 1989 Publication (down) Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 23 Issue 8 Pages 1356-1361
Keywords Ge, crystallography
Abstract Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1692 Approved no
Call Number Serial 1691
Permanent link to this record
 
 
Author Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Кагане, М. Л.; Мултановский, В. В.; Птицина, Н. Г.
Title Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках Type Journal Article
Year 1983 Publication (down) Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 17 Issue 8 Pages 1430-1437
Keywords BWO spectroscopy, pure semiconductors, residual impurities
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1714 Approved no
Call Number Serial 1712
Permanent link to this record
 
 
Author Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б.
Title Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе Type Journal Article
Year 1991 Publication (down) Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 25 Issue 11 Pages 1986-1998
Keywords n-InSb mixer
Abstract Проведено комплексное исследование n-InSb смесителя на λ=2.6 мм, включающее в себя исследование вольт-амперных характеристик при E=0−2 В/см, температурной зависимости проводимости в диапазоне T=1.6−20 K, высокочастотной проводимости при f=0.5−10 МГц и магнитосопротивления при H=0−5 кЭ. Показано, что в оптимальном режиме механизм преобразования частоты связан с фотоионизационными процессами при прыжковой фотопроводимости (ПФП). На основе модели ПФП рассчитан коэффициент преобразования смесителя и произведено сопоставление его с экспериментом. Показана несостоятельность модели преобразования частоты в компенсированном n-InSb (K≥0.8), основанной на разогреве электронов. Обсуждены требования к параметрам материала и режимам n-InSb смесителя миллиметрового диапазона волн.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1753
Permanent link to this record
 
 
Author Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б.
Title Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла Type Journal Article
Year 1990 Publication (down) Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 24 Issue 12 Pages 2145-2150
Keywords Hall constant, concentration of impurities, p-Si
Abstract На примере p-Si⟨B,\,Ga⟩ с различной степенью компенсации проведена сравнительная оценка точности определения раздельной концентрации примесей по температурной зависимости концентрации дырок p(T) в случае одной и двух легирующих примесей с энергиями ионизации, различающимися менее чем в 2 раза. Исследована функция среднеквадратичного отклонения в пространстве параметров D(Nк, N2) (Nк, N1 и N2 — концентрации компенсирующих примесей бора и галлия соответственно, N2≫N1) в предположении, что N2, энергии B и Ga известны. Показано, что в случае двух легирующих примесей D(Nк, N1) в окрестностях минимума имеет «овражный» рельеф и при некоторых соотношениях между Nк и N1 разброс искомых величин превышает порядок, причем увеличение точности измерений p(T) существенного улучшения в вычислении параметров не дает. При одной легирующей примеси точность вычисления параметров высокая.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1754
Permanent link to this record