| Records |
| Author |
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
| Title |
Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge |
Type |
Journal Article |
| Year |
1990 |
Publication  |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
| Volume |
24 |
Issue |
10 |
Pages |
1881-1883 |
| Keywords |
impurities, photoconductivity, Ge, capture of free carriers, magnetic field |
| Abstract |
Цель настоящей работы — измерение кинетики примесной фотопроводимости в квантующих магнитных полях. |
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
|
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1755 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б. |
| Title |
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах |
Type |
Journal Article |
| Year |
1990 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
| Volume |
24 |
Issue |
1 |
Pages |
3-24 |
| Keywords |
compensated n-InSb, impurities |
| Abstract |
Представлен обзор результатов цикла исследований природы электропроводности предельно очищенных образцов антимонида индия n-типа. Рассмотрены способы определения концентрации доноров и степени компенсации в этом материале, обсуждается роль свободных и локализованных на донорах электронов в электропроводности при гелиевых температурах. Обсуждение основано на анализе результатов исследования гальваномагнитных явлений, поглощения СВЧ излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов и ультразвука. Рассмотрены способы определения характеристик материала на основе комплекса результатов, полученных с помощью указанных методов. Обсуждается также фотопроводимость по примесям в n-InSb. |
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
|
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1756 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. |
| Title |
Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках |
Type |
Journal Article |
| Year |
1989 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
| Volume |
23 |
Issue |
2 |
Pages |
338-345 |
| Keywords |
weakly compensated Si, Ge, doped, Hall mobility |
| Abstract |
На примере легированного и слабо компенсированного Si⟨B⟩ проведены исследования особенностей температурной зависимости подвижности при различных механизмах рассеяния. Уточнен метод определения концентрации компенсирующей примеси по μI(T). Полученные результаты обсуждаются и для Ge. |
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
|
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1758 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З. |
| Title |
Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ |
Type |
Journal Article |
| Year |
1986 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
| Volume |
20 |
Issue |
1 |
Pages |
99-103 |
| Keywords |
n-Ge, Hubbard upper zone conductivity, negative magnetoresistance |
| Abstract |
В рамках теории квантовых поправок к проводимости объяснено отрицательное магнитосопротивление в n-Ge с концентрацией доноров Nd≃2.8⋅1016÷1.1⋅1017см−3, наблюдаемое в диапазоне температур 4.2−10 K, когда основной вклад в проводимость дают электроны верхней зоны Хаббарда. Показано, что время релаксации фазы волновой функции τφ определяется временем электрон-фононного взаимодействия τeph. |
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
|
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1759 |
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
| Author |
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. |
| Title |
Спин-решеточная релаксация доноров фосфора в кремнии при одноосной деформации образца |
Type |
Journal Article |
| Year |
1985 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
| Volume |
19 |
Issue |
9 |
Pages |
1696-1698 |
| Keywords |
uniaxial pressure, Ge, phosphorus donors, spin-lattice relaxation |
| Abstract |
|
| Address |
|
| Corporate Author |
|
Thesis |
|
| Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
| Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
| Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
| Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
| ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
| Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
| Notes |
|
Approved |
no |
| Call Number |
|
Serial |
1760 |
| Permanent link to this record |
