| |
Records |
Links |
|
Author |
Проходцов, А. И.; Голиков, А. Д.; Ан, П. П.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н. |
|
| |
Title |
Влияние покрытия из оксида кремния на эффективность фокусирующего решеточного элемента связи из нитрида кремния |
Type |
Conference Article |
| |
Year |
2019 |
Publication |
Proc. IWQO |
Abbreviated Journal |
Proc. IWQO |
|
| |
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
201-203 |
|
| |
Keywords |
integrated optics, silicon nitride, focusing grating coupler |
|
| |
Abstract |
В работе экспериментально изучена зависимость эффективности фокусирующего решеточного элемента связи от периода и фактора заполнения до и после напыления верхнего слоя из оксида кремния. Полученные данные имеют практическое значение при создании перестраиваемых интегрально-оптических устройств на нитриде кремния. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher  |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
Duplicated as 1188 |
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1282 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Елезов, М. С.; Щербатенко, М. Л.; Сыч, Д. В.; Гольцман, Г. Н. |
|
| |
Title |
Практические особенности работы оптоволоконного квантового приемника Кеннеди |
Type |
Conference Article |
| |
Year |
2019 |
Publication |
Proc. IWQO |
Abbreviated Journal |
Proc. IWQO |
|
| |
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
303-305 |
|
| |
Keywords |
Kennedy quantum receiver, fiber, quantum optics, standard quantum limit, superconducting nanowire single-photon detector, coherent detection |
|
| |
Abstract |
Мы рассматриваем практические особенности работы квантового приемника на основе схемы Кеннеди, собранного из стандартных оптоволоконных элементов и сверхпроводникового детектора одиночных фотонов. Приемник разработан для различения двух фазовомодулированных когерентных состояний света на длине волны 1,5 микрона в непрерывном режиме с частотой модуляции 200 КГц и уровнем ошибок различения примерно в два раза ниже стандартного квантового предела. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
Duplicated as 1288 |
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1283 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Елманов, И. А.; Елманова, А. В.; Голиков, А. Д.; Комракова, С. А.; Каурова, Н. С.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н. |
|
| |
Title |
Способ определения параметров резистов для электронной литографии фотонных интегральных схем на платформе нитрида кремния |
Type |
Conference Article |
| |
Year |
2019 |
Publication |
Proc. IWQO |
Abbreviated Journal |
Proc. IWQO |
|
| |
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
306-308 |
|
| |
Keywords |
Si3N4, e-beam lithography, EBL |
|
| |
Abstract |
В работе были измерены толщины резистов ZEP 520A и ma-N 2400 для электронно-лучевой литографии, неразрушающим способом, а также подобран рецепт, обеспечивающий высокое отношение скорости травления нитрида кремния по сравнению с резистом. Работа имеет практическое значение для электронной литографии интегрально-оптических устройств и устройств нанофотоники на основе нитрида кремния. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
Duplicated as 1189 |
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1284 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Елманова, А.; Елманов, И.; Комракова, С.; Голиков, А.; Джавадзадэ, Д.; Воробьёв, В.; Большедворский, С.; Сошенко, В.; Акимов, А.; Ковалюк, В.; Гольцман, Г. |
|
| |
Title |
Способ интеграции наноалмазов с нанофотонными устройствами из нитрида кремния |
Type |
Conference Article |
| |
Year |
2019 |
Publication |
Proc. IWQO |
Abbreviated Journal |
Proc. IWQO |
|
| |
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
309-311 |
|
| |
Keywords |
nanodiamonds, NV-centers |
|
| |
Abstract |
В работе были разработаны оптические структуры из нитрида кремния для дальнейшего размещения на них наноалмазов с NV-центрами, опробованы различные методики нанесения раствора наноалмазов и выбрана оптимальная. Работа имеет практическое значение в области нанофотоники и создании квантово-оптических устройств с однофотонными источниками. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
Duplicated as 1190 |
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1285 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Tretyakov, I.; Svyatodukh, S.; Chumakova, A.; Perepelitsa, A.; Kaurova, N.; Shurakov, A.; Zilberley, T.; Ryabchun, S.; Smirnov, M.; Ovchinnikov, O.; Goltsman, G. |
|
| |
Title |
Room temperature silicon detector for IR range coated with Ag2S quantum dots |
Type |
Conference Article |
| |
Year |
2019 |
Publication |
IRMMW-THz |
Abbreviated Journal |
|
|
| |
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
|
| |
Keywords |
Ag2S quantum dots |
|
| |
Abstract |
A silicon has been the chief technological semiconducting material of modern microelectronics and has had a strong influence on all aspects of society. Applications of Si-based optoelectronic devices are limited to the visible and near infrared ranges. The expansion of the Si absorption to shorter wavelengths of the infrared range is of considerable interest to optoelectronic applications. By creating impurity states in Si it is possible to cause sub-band gap photon absorption. Here, we present an elegant and effective technology of extending the photoresponse of towards the IR range. Our approach is based on the use of Ag 2 S quantum dots (QDs) planted on the surface of Si. The specific sensitivity of the Ag 2 S/Si heterostructure is 10 11 cm√HzW -1 at 1.55μm. Our findings open a path towards the future study and development of Si detectors for technological applications. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
2162-2035 |
ISBN |
978-1-5386-8285-2 |
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
8874267 |
Serial |
1286 |
|
| Permanent link to this record |
