toggle visibility Search & Display Options

Select All    Deselect All
List View
 |   | 
   print
  Author Title Year Publication Volume (down) Pages Links
Verevkin, A.; Gershenzon, E. M.; Gol'tsman, G. N.; Ptitsina, N. G.; Chulkova, G. M.; Smirnov, K. S.; Sobolewski, R. Direct measurements of energy relaxation times in two-dimensional structures under quasi-equilibrium conditions 2002 Mater. Sci. Forum 384-3 107-116 details   url
Verevkin, A. A.; Ptitsina, N. G.; Chulcova, G. M.; Gol'tsman, G. N.; Gershenzon, E. M.; Yngvesson, K. S. Direct measurements of energy relaxation time of electrons in AlGaAs/GaAs heterostructures under quasi-equilibrium conditions 1996 Surface Science 361-362 569-573 details   doi
Shaha, Jagdeep; Pinczukb, A.; Gossardb, A. C.; Wiegmannb, W. Hot carrier energy loss rates in GaAs quantum wells: large differences between electrons and holes 1985 Phys. B+C 134 174-178 details   openurl
Cao, Q.; Yoon, S. F.; Tong, C. Z.; Ngo, C. Y.; Liu, C. Y.; Wang, R.; Zhao, H. X. Two-state competition in 1.3 μm multilayer InAs/InGaAs quantum dot lasers 2009 Applied Physics Letters 95 3 details   openurl
An, Zhenghua; Chen, Jeng-Chung; Ueda, T.; Komiyama, S.; Hirakawa, K. Infrared phototransistor using capacitively coupled two-dimensional electron gas layers 2005 Applied Physics Letters 86 172106 - 172106-3 details   openurl
Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. Концентрационная зависимость полосы преобразования смесителей субмиллиметрового диапазона на основе наноструктур AlGaAs/GaAs 2010 Изв. РАН Сер. Физ. 74 110-112 details   openurl
Shangina, E. L.; Smirnov, K. V.; Morozov, D. V.; Kovalyuk, V. V.; Gol’tsman, G. N.; Verevkin, A. A.; Toropov, A. I. Concentration dependence of the intermediate frequency bandwidth of submillimeter heterodyne AlGaAs/GaAs nanostructures 2010 Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 74 100-102 details   doi
Gol’tsman, G. N.; Smirnov, K. V. Electron-phonon interaction in a two-dimensional electron gas of semiconductor heterostructures at low temperatures 2001 Jetp Lett. 74 474-479 details   doi
Гольцман, Г. Н.; Смирнов, К. В. По итогам проектов российского фонда фундаментальных исследований. Проект РФФИ # 98-02-16897 Электрон-фононное взаимодействие в двумерном электронном газе полупроводниковых гетероструктур при низких температурах 2001 Письма в ЖЭТФ 74 532-538 details   url
Smirnov, K. V.; Ptitsina, N. G.; Vakhtomin, Y. B.; Verevkin, A. A.; Gol’tsman, G. N.; Gershenzon, E. M. Energy relaxation of two-dimensional electrons in the quantum Hall effect regime 2000 JETP Lett. 71 31-34 details   doi
Select All    Deselect All
List View
 |   | 
   print

Save Citations:
Export Records: