| |
Author  |
Title |
Year |
Publication |
Volume |
Pages |
Links |
|
|
Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе |
1991 |
Физика и техника полупроводников |
25 |
1986-1998 |
|
|
|
Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Карасик, Б. С.; Потоскуев, С. Э. |
Разогрев электронов в резистивном состоянии сверхпроводника электромагнитным излучением значительной интенсивности |
1988 |
Физика низких температур |
14 |
753-763 |
|
|
|
Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Кагане, М. Л.; Мултановский, В. В.; Птицина, Н. Г. |
Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках |
1983 |
Физика и техника полупроводников |
17 |
1430-1437 |
|
|
|
Гершензон, Е. М.; Гершензон, М. Е.; Гольцман, Г. Н.; Семенов, А. Д.; Сергеев, А. В. |
Неселективное воздействие электромагнитного излучения на сверхпроводящую пленку в резистивном состоянии |
1982 |
Письма в ЖЭТФ |
36 |
241-244 |
|
|
|
Гершензон, Е. М.; Гершензон, М. Е.; Гольцман, Г. Н.; Люлькин, А. М.; Семенов, А. Д.; Сергеев, А. В. |
О предельных характеристиках быстродействующих серхпроводниковых болометров |
1989 |
Журнал технической физики |
59 |
111-120 |
|
