|
Author |
Title |
Year |
Publication |
Volume |
Pages |
Links |
|
Aksaev, E. E.; Gershenzon, E. M.; Gershenson, M. E.; Goltsman, G. N.; Semenov, A. D.; Sergeev, A. V. |
Prospects for using high-temperature superconductors to create electron bolometers |
1989 |
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki |
15 |
88-93 |
|
|
Aksaev, E. E.; Gershenzon, E. M.; Gol'tsman, G. N.; Semenov, A. D.; Sergeev, A. V. |
Interaction of electrons with thermal phonons in YBa2Cu3O7-δ films at low temperatures |
1989 |
JETP Lett. |
50 |
283-286 |
|
|
Elant'ev, A. I.; Karasik, B. S. |
Effect of high-frequency current on Nb superconductive film in resistive state |
1989 |
Sov. J. Low Temp. Phys. |
15 |
379-383 |
|
|
Gershenzon, E. M.; Goltsman, G. N.; Semenov, A. D.; Sergeev, A. V. |
Limiting characteristic of fast superconducting bolometers |
1989 |
Sov. Phys.-Tech. Phys. |
34 |
195-199 |
|
|
Gershenzon, E. M.; Gershenson, M. E.; Goltsman, G. N.; Karasik, B. S.; Lyulkin, A. M.; Semenov, A. D. |
Fast-response superconducting electron bolometer |
1989 |
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki |
15 |
88-92 |
|
|
Gershenzon, E. M.; Gershenson, M. E.; Goltsman, G. N.; Lyulkin, A. M.; Semenov, A. D.; Sergeev, A. V. |
Limiting characteristics of fast-response superconducting bolometers |
1989 |
Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki |
59 |
11-120 |
|
|
Voevodin, E. I.; Gershenzon, E. M.; Goltsman, G. N.; Ptitsina, N. G. |
Energy-spectrum of shallow acceptors in Ge deformed strongly by a uniaxial pressure |
1989 |
Sov. Phys. and Technics of Semiconductors |
23 |
843-846 |
|
|
Zmuidzinas, J.; Betz A. L.; Boreiko R.T. |
A corner-reflector mixer mount for far infrared wavelengths |
1989 |
Infrared Phys. |
29 |
119-131 |
|
|
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. |
Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках |
1989 |
Физика и техника полупроводников |
23 |
338-345 |
|
|
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge |
1989 |
Физика и техника полупроводников |
23 |
1356-1361 |
|