Records |
Author |
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Рабинович, Р. И. |
Title |
Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда |
Type |
Journal Article |
Year |
1983 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
17 |
Issue |
10 |
Pages |
1873-1876 |
Keywords |
compensated n-InSb, Hubbard upper zone conductivity, negative magnetoresistance |
Abstract |
|
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1763 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З. |
Title |
Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ |
Type |
Journal Article |
Year |
1986 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
20 |
Issue |
1 |
Pages |
99-103 |
Keywords |
n-Ge, Hubbard upper zone conductivity, negative magnetoresistance |
Abstract |
В рамках теории квантовых поправок к проводимости объяснено отрицательное магнитосопротивление в n-Ge с концентрацией доноров Nd≃2.8⋅1016÷1.1⋅1017см−3, наблюдаемое в диапазоне температур 4.2−10 K, когда основной вклад в проводимость дают электроны верхней зоны Хаббарда. Показано, что время релаксации фазы волновой функции τφ определяется временем электрон-фононного взаимодействия τeph. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1759 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Title |
Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе |
Type |
Journal Article |
Year |
1991 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
25 |
Issue |
11 |
Pages |
1986-1998 |
Keywords |
n-InSb mixer |
Abstract |
Проведено комплексное исследование n-InSb смесителя на λ=2.6 мм, включающее в себя исследование вольт-амперных характеристик при E=0−2 В/см, температурной зависимости проводимости в диапазоне T=1.6−20 K, высокочастотной проводимости при f=0.5−10 МГц и магнитосопротивления при H=0−5 кЭ. Показано, что в оптимальном режиме механизм преобразования частоты связан с фотоионизационными процессами при прыжковой фотопроводимости (ПФП). На основе модели ПФП рассчитан коэффициент преобразования смесителя и произведено сопоставление его с экспериментом. Показана несостоятельность модели преобразования частоты в компенсированном n-InSb (K≥0.8), основанной на разогреве электронов. Обсуждены требования к параметрам материала и режимам n-InSb смесителя миллиметрового диапазона волн. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1753 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Гершензон, Е. М. |
Title |
Воздействие электромагнитного излучения на сверхпроводящую плёнку ниобия в резистивном состоянии |
Type |
Conference Article |
Year |
1982 |
Publication |
Тезисы докладов 22 Всесоюзной конференции по физике низких температур |
Abbreviated Journal |
|
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
79-80 |
Keywords |
|
Abstract |
|
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
231 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Title |
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах |
Type |
Journal Article |
Year |
1990 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
24 |
Issue |
1 |
Pages |
3-24 |
Keywords |
compensated n-InSb, impurities |
Abstract |
Представлен обзор результатов цикла исследований природы электропроводности предельно очищенных образцов антимонида индия n-типа. Рассмотрены способы определения концентрации доноров и степени компенсации в этом материале, обсуждается роль свободных и локализованных на донорах электронов в электропроводности при гелиевых температурах. Обсуждение основано на анализе результатов исследования гальваномагнитных явлений, поглощения СВЧ излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов и ультразвука. Рассмотрены способы определения характеристик материала на основе комплекса результатов, полученных с помощью указанных методов. Обсуждается также фотопроводимость по примесям в n-InSb. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1756 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Васильева, И. А.; Компанеец, В. В.; Красная, Ж. А.; Чижикова, З. А. |
Title |
Проявление внутримолекулярных вибронных взаимодействий в тонкоструктурных спектрах флуоресценции и возбуждения флуоресценции полиеновых δ-диметиламинокетонов |
Type |
Journal Article |
Year |
2011 |
Publication |
Оптический журнал |
Abbreviated Journal |
Опт. ж. |
Volume |
78 |
Issue |
5 |
Pages |
3-8 |
Keywords |
спектры флуоресценции; вибрационный анализ; адиабатическое гармоническое приближение; бесфононная линия; фононное крыло |
Abstract |
Проведен вибрационный анализ спектров флуоресценции и возбуждения флуоресценции, полученных методом Шпольского при 4,2 K. Рассчитаны параметры внутримолекулярных взаимодействий двух δ-диметиламинокетонов. Для определения интегральных интенсивностей вибронных полос в спектрах с тонкой структурой на интенсивном сплошном фоне выполнено моделирование спектров путем представления полосы каждого из вибронных переходов бесфононной линией и фононным крылом с определенными параметрами (полуширинами, фактором Дебая–Валлера). Показано, что нарушение зеркальной симметрии в сопряженных спектрах флуоресценции и возбуждения флуоресценции этих двух соединений может быть обÑŠяснено интерференцией франк-кондоновского и герцберг-теллеровского взаимодействий. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
721 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Бурмистрова, А. В.; Девятов, И. А. |
Title |
Расчет электронного транспорта в гетероструктурах, содержащих многозонные сверхпроводники |
Type |
Conference Article |
Year |
2014 |
Publication |
Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» |
Abbreviated Journal |
|
Volume |
1 |
Issue |
|
Pages |
21-22 |
Keywords |
N/I/Sp junctions |
Abstract |
В рамках приближения сильной связи теоретически рассчитаны проводимости контактов вида нормальный металл/изолятор/одноорбитальный сверхпроводник с p-типом сверхпроводящего спаривания (N/I/Sp). Объяснено наблюдаемое экспериментально как появление пика при нулевом напряжении, так и его расщепление в зависимости от толщины слоя изолятора. В рамках этой же микроскопической теории развит вариант техники решеточной функции Грина в мацубаровом представлении. Используя разработанный подход, рассчитаны фазовые и температурные зависимости тока Джозефсона для контакта сверхпроводника s-типа и многозонного железосодержащего сверхпроводника (ферропниктида) для различных ориентаций границы по отношению к кристаллографическим осям пниктида. |
Address |
Нижний Новгород, Россия |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1834 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Title |
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла |
Type |
Journal Article |
Year |
1990 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
24 |
Issue |
12 |
Pages |
2145-2150 |
Keywords |
Hall constant, concentration of impurities, p-Si |
Abstract |
На примере p-Si⟨B,\,Ga⟩ с различной степенью компенсации проведена сравнительная оценка точности определения раздельной концентрации примесей по температурной зависимости концентрации дырок p(T) в случае одной и двух легирующих примесей с энергиями ионизации, различающимися менее чем в 2 раза. Исследована функция среднеквадратичного отклонения в пространстве параметров D(Nк, N2) (Nк, N1 и N2 — концентрации компенсирующих примесей бора и галлия соответственно, N2≫N1) в предположении, что N2, энергии B и Ga известны. Показано, что в случае двух легирующих примесей D(Nк, N1) в окрестностях минимума имеет «овражный» рельеф и при некоторых соотношениях между Nк и N1 разброс искомых величин превышает порядок, причем увеличение точности измерений p(T) существенного улучшения в вычислении параметров не дает. При одной легирующей примеси точность вычисления параметров высокая. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1754 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. |
Title |
Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках |
Type |
Journal Article |
Year |
1989 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
23 |
Issue |
2 |
Pages |
338-345 |
Keywords |
weakly compensated Si, Ge, doped, Hall mobility |
Abstract |
На примере легированного и слабо компенсированного Si⟨B⟩ проведены исследования особенностей температурной зависимости подвижности при различных механизмах рассеяния. Уточнен метод определения концентрации компенсирующей примеси по μI(T). Полученные результаты обсуждаются и для Ge. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1758 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. |
Title |
Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии |
Type |
Journal Article |
Year |
1983 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
17 |
Issue |
10 |
Pages |
1896-1898 |
Keywords |
Ge, deep impurities |
Abstract |
|
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1762 |
Permanent link to this record |