|   | 
Details
   web
Records
Author Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С.
Title О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора в кремнии Type Journal Article
Year 1984 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 18 Issue (up) 3 Pages 421-425
Keywords Si, phosphorus donors, EPR
Abstract Температурная зависимость ширины линии ЭПР доноров Р в Si исследована в интервале концентрации ND=2.5⋅1017−9⋅1017см−3 и температур T=1.7−45 K на образцах с различной степенью компенсации основной примеси. Результаты согласуются с моделью обменного сужения линии при учете температурной зависимости обменного интеграла и тем самым исключают предлагавшийся ранее механизм сужения линии вследствие прыжкового движения электронов по примесным центрам.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1761
Permanent link to this record
 

 
Author Гершензон, Е. М.; Мельников, А. П.; Рабинович, Р. И.; Смирнова, В. Б.
Title О возможности создания инверсной функции распределения свободных носителей в полупроводниках при захвате на мелкие нейтральные примеси Type Journal Article
Year 1983 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 17 Issue (up) 3 Pages 499-501
Keywords shallow neutral impurities, capture, inverse distribution function, Si
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1764
Permanent link to this record
 

 
Author Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.
Title Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge Type Journal Article
Year 1989 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 23 Issue (up) 8 Pages 1356-1361
Keywords Ge, crystallography
Abstract Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1692 Approved no
Call Number Serial 1691
Permanent link to this record
 

 
Author Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Кагане, М. Л.; Мултановский, В. В.; Птицина, Н. Г.
Title Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках Type Journal Article
Year 1983 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 17 Issue (up) 8 Pages 1430-1437
Keywords BWO spectroscopy, pure semiconductors, residual impurities
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1714 Approved no
Call Number Serial 1712
Permanent link to this record
 

 
Author Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.; Ригер, Е. Р.
Title Оже-рекомбинация свободных носителей на мелких донорах в германии Type Journal Article
Year 1984 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 18 Issue (up) 9 Pages 1684-1686
Keywords Ge, free carrier recombination
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1710
Permanent link to this record