Home << 1 2 >>
List View
 | 
Citations
 | 
Details
   web
Records
Author Гершензон, Е. М.; Гершензон, М. Е.; Гольцман, Г. Н.; Семенов, А. Д.; Сергеев, А. В.
Title Неселективное воздействие электромагнитного излучения на сверхпроводящую пленку в резистивном состоянии Type Journal Article
Year 1982 Publication Письма в ЖЭТФ Abbreviated Journal Письма в ЖЭТФ
Volume 36 Issue 7 Pages 241-244
Keywords (up)
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1717 Approved no
Call Number MSPU @ s @ Serial 225
Permanent link to this record
 
 
Author Гершензон, Е. М.
Title Воздействие электромагнитного излучения на сверхпроводящую плёнку ниобия в резистивном состоянии Type Conference Article
Year 1982 Publication Тезисы докладов 22 Всесоюзной конференции по физике низких температур Abbreviated Journal
Volume Issue Pages 79-80
Keywords (up)
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 231
Permanent link to this record
 
 
Author Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Гершензон, Е. М.; Птицина, Н. Г.; Смирнов, К. В.; Чулкова, Г. М.
Title Исследования процессов неупругой релаксации и примесная спектроскопия-релаксометрия в двумерном электронном газе в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами Type Report
Year 1995 Publication Abbreviated Journal
Volume Issue Pages
Keywords (up)
Abstract В гетероструктурах GaAs/AlGaAs впервые прямым методом измерена температурная зависимость вpемени энеpгетической pелаксации двумерного электронного газа te(T) в широком диапазоне температур Т=1,5 – 50 К в квазиравновесных условиях. Для измерений использовался высокочувствительный спектрометр миллиметрового диапазона волн с высоким временным разрешением, который позволял измерять релаксационные времена до 150 пс с погрешностью не более 20%. Верхний предел температуры определялся временным разрешением спектрометра. Исследования проводились на высококачественных образцах с поверхностной концентрацией носителей ns = 4,2 1011 см-2 и подвижностью m = 7 105 см2В-1с-1 (при Т = 4,2К). В квазиравновесных условиях из температурной зависимости tе определен предел подвижности при низких температурах (T<4.2 K), связанный с рассеянием на пьезоакустическом потенциале, получено время неупругой релаксации, связанное с рассеянием на деформационном потенциале (15 K25 K), получено характерное время испускания оптического фонона (tLO>4,5пс), которое существенно превышает время сронтанного излучения оптического фонона (примерно в 30 раз), что связано с большой ролью процессов перепоглащения фононов электронами.При низких температурах проведены измерения tе в условиях сильного разогрева. Полученные значения tе и зависимость tе от температуры электронов Те совпадают с tе(Т) в квазиравновесных условиях при Т=Те. Из полученных значений tе(Те) построена зависимость мощности энергетических потерь от Те, которая хорошо согласуется с литературными данными.Начаты измерения в магнитном поле, которые показывают переспективность использованного нами метода измерений как в области слабых магнитных полей при факторе заполнения >10, так и в области сильных магнитных полей при факторе заполнения >1-2.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Отчет о НИР/НИОКР; РФФИ: 95-02-06409-а; Approved no
Call Number Serial 1831
Permanent link to this record
 
 
Author Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Кагане, М. Л.; Мултановский, В. В.; Птицина, Н. Г.
Title Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках Type Journal Article
Year 1983 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 17 Issue 8 Pages 1430-1437
Keywords (up) BWO spectroscopy, pure semiconductors, residual impurities
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1714 Approved no
Call Number Serial 1712
Permanent link to this record
 
 
Author Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Рабинович, Р. И.
Title Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда Type Journal Article
Year 1983 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 17 Issue 10 Pages 1873-1876
Keywords (up) compensated n-InSb, Hubbard upper zone conductivity, negative magnetoresistance
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1763
Permanent link to this record
 
 
Author Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б.
Title Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах Type Journal Article
Year 1990 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 24 Issue 1 Pages 3-24
Keywords (up) compensated n-InSb, impurities
Abstract Представлен обзор результатов цикла исследований природы электропроводности предельно очищенных образцов антимонида индия n-типа. Рассмотрены способы определения концентрации доноров и степени компенсации в этом материале, обсуждается роль свободных и локализованных на донорах электронов в электропроводности при гелиевых температурах. Обсуждение основано на анализе результатов исследования гальваномагнитных явлений, поглощения СВЧ излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов и ультразвука. Рассмотрены способы определения характеристик материала на основе комплекса результатов, полученных с помощью указанных методов. Обсуждается также фотопроводимость по примесям в n-InSb.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1756
Permanent link to this record
 
 
Author Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.
Title Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge Type Journal Article
Year 1989 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 23 Issue 8 Pages 1356-1361
Keywords (up) Ge, crystallography
Abstract Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1692 Approved no
Call Number Serial 1691
Permanent link to this record
 
 
Author Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.
Title Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии Type Journal Article
Year 1983 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 17 Issue 10 Pages 1896-1898
Keywords (up) Ge, deep impurities
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1762
Permanent link to this record
 
 
Author Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б.
Title Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла Type Journal Article
Year 1990 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 24 Issue 12 Pages 2145-2150
Keywords (up) Hall constant, concentration of impurities, p-Si
Abstract На примере p-Si⟨B,\,Ga⟩ с различной степенью компенсации проведена сравнительная оценка точности определения раздельной концентрации примесей по температурной зависимости концентрации дырок p(T) в случае одной и двух легирующих примесей с энергиями ионизации, различающимися менее чем в 2 раза. Исследована функция среднеквадратичного отклонения в пространстве параметров D(Nк, N2) (Nк, N1 и N2 — концентрации компенсирующих примесей бора и галлия соответственно, N2≫N1) в предположении, что N2, энергии B и Ga известны. Показано, что в случае двух легирующих примесей D(Nк, N1) в окрестностях минимума имеет «овражный» рельеф и при некоторых соотношениях между Nк и N1 разброс искомых величин превышает порядок, причем увеличение точности измерений p(T) существенного улучшения в вычислении параметров не дает. При одной легирующей примеси точность вычисления параметров высокая.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1754
Permanent link to this record
 
 
Author Гершензон, Е. М.; Гершензон, М. Е.; Гольцман, Г. Н.; Люлькин, А. М.; Семенов, А. Д.; Сергеев, А. В.
Title О предельных характеристиках быстродействующих серхпроводниковых болометров Type Journal Article
Year 1989 Publication Журнал технической физики Abbreviated Journal Журнал технической физики
Volume 59 Issue 2 Pages 111-120
Keywords (up) HEB
Abstract Теоретически и экспериментально исследовано физическое ограничение быстродействия сверхпроводящего болометра. Показано, что минимальная постоянная времени реализуется в условиях электронного разогрева и определяется процессом неупругого электрон-фонон- ного взаимодействия. Сформулированы требования кконструкции «электронного болометра» для достижения предельной чувствительности. Проведено сравнение характеристик электронного болометра и обычных болометров различных типов.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 237 Approved no
Call Number Serial 238
Permanent link to this record