Elmanov, I., Elmanova, A., Kovalyuk, V., An, P., & Goltsman, G. (2020). Integrated contra-directional coupler for NV-centers photon filtering. In Proc. 32-nd EMSS (pp. 354–360).
Abstract: We modelled an integrated optical contra-directional coupler on silicon nitride platform. Performance of the filter was studied depending on different parameters, including the grating period and the height of teeth of the Bragg grating near 637 nm operation wavelength. The obtained results can be used for a design and fabrication of quantum photonic integrated circuits with on-chip single-photon NV-centers in nanodiamonds.
|
Elmanov, I., Elmanova, A., Kovalyuk, V., An, P., & Goltsman, G. (2020). Silicon nitride photonic crystal cavity coupled with NV-centers in nanodiamonds. In Proc. 32-nd EMSS (pp. 344–348).
Abstract: The development of integrated quantum photonics requires a high efficient excitation and coupling of a single photon source with on-chip devices. In this paper, we show our results of modelling for high-Q photonic crystal cavity, optimized for zero phonon line emission of NV-centers in nanodiamonds. Modelling was performed for the silicon nitride platform and obtained a quality factor equals to 6136 at 637 nm wavelength.
|
Romanov, N. R., Zolotov, P. I., & Smirnov, K. V. (2019). Development of disordered ultra-thin superconducting vanadium nitride films. In Proc. 8th Int. Conf. Photonics and Information Optics (pp. 425–426).
Abstract: We present the results of development and research of superconducting vanadium nitride VN films ~10 nm thick having different level of disorder. It is showed that both silicon substrate temperature T sub in process of magnetron sputtering and total gas pressure P affect superconducting transition temperature of sputtered films and R 300 /R 20 ratio defining their level of disorder. VN films suitable for development of superconducting single-photon detectors on their basis are obtained.
|
Moshkova, M. A., Divochiy, A. V., Morozov, P. V., Antipov, A. V., Vakhtomin, Y. B., & Smirnov, K. V. (2019). Characterization of topologies of superconducting photon number resolving detectors. In Proc. 8th Int. Conf. Photonics and Information Optics (pp. 465–466).
Abstract: Comparative analysis for different topologies of superconducting single-photon detectors with ability to resolve up to 4 photons in a short pulse of IR radiation has been carry out. It was developed the detector with a system detection efficiency of ~ 85 % at λ = 1550 nm. The possibility of using such detector to restore photon statistics of a pulsed radiation source was demonstrated.
|
Мошкова, М. А., Дивочий, А. В., Морозов, П. В., Антипов, А. В., Вахтомин, Ю. Б., & Смирнов, К. В. (2019). Оценка статистики распределения фотонов с использованием многоэлементного сверхпроводникового однофотонного детектора. In Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е. В. Арменского (pp. 201–202). МИЭМ НИУ ВШЭ.
Abstract: Проведен сравнительный анализ топологий сверхпроводниковых однофотонных детекторов с способностью к разрешению до четырёх фотонов в коротком импульсе ИК излучения. Получен детектор, с системной квантовой эффективностью ~85% на λ=1550 нм. Продемонстрирована возможность его использования для распределения числа фотонов импульсного источника излучения.
|
Золотов, Ф. И., & Смирнов, К. В. (2019). Особенности осаждения разупорядоченных сверхтонких плёнок нитрида ванадия. In Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е. В. Арменского (pp. 204–205). МИЭМ НИУ ВШЭ.
Abstract: В работе изучены особенности роста сверхтонких плёнок нитрида ванадия толщиной ~10 нм. Обнаружено, что при изменении температуры подложки и общего давления газов в процессе осаждения плёнок меняется значение их поверхностного сопротивления вблизи перехода к сверхпроводящему состоянию.
|
Kuznetsov, K. A., Kornienko, V. V., Vakhtomin, Y. B., Pentin, I. V., Smirnov, K. V., & Kitaeva, G. K. (2018). Generation and detection of optical-terahertz biphotons via spontaneous parametric downconversion. In Proc. ICLO (303).
Abstract: We study spontaneous parametric downconversion (SPDC) in the strongly non-degenerate regime when the idler wave hits the terahertz range. By using the hot-electron bolometer, for the first time the SPDC-generated idler-wave photons were directly detected in the terahertz frequency range. Spectrum of corresponding signal photons was measured using standard technique by the CCD camera. Possible applications of correlated optical-terahertz biphotons are discussed.
|
|
Райтович, А. А., Пентин, И. В., Золотов, Ф. И., Селезнев, В. А., Вахтомин, Ю. Б., & Смирнов, К. В. (2018). Время энергетической релаксации электронов в сверхпроводниковых VN наноструктурах. In Сборник трудов 13 Всероссийской конференции молодых ученых (pp. 236–238). Техно-Декор.
|
Zolotov, P. I., Vakhtomin, Y. B., Divochiy, A. V., Seleznev, V. A., & Smirnov, K. V. (2016). Technology development of resonator-based structures for efficiency increasing of NBN detectors of IR single photons. Proc. 5th Int. Conf. Photonics and Information Optics, , 115–116.
Abstract: This paper presents a technology of fabrication of NbN superconductive single- photon detectors, using resonator structures. The main results are related to optimization of the process of NbN sputtering over substrate with metallic mirrors and SiO 2 /Si 3 N 4 layers /4 thick. Investigation of the quantum efficiency of fabricated devices at 1.6 K on 1.55 μm showed triple-magnified value compared to standard Si/NbN structures.
|
Корнеев, А. А., Окунев, О. В., Чулкова, Г. М., Смирнов, К. В., Милостная, И. И., Минаева, О. В., et al. (2015). Спонтанные и фотоиндуцированные резистивные состояния в узких сверхпроводящих NbN полосках. МПГУ.
Abstract: Монография посвящена актуальной проблеме современной фотоники: разработке высокочувствительных и быстродействующих сверхпроводниковых однофотонных детекторов на основе тонкой пленки NbN. В работе исследуются неравновесные процессы, протекающие в тонкой сверхпроводящей пленке после поглощения инфракрасного фотона и приводящие к возникновению резистивного состояния. На этих процессах основан механизм фотоотклика исследуемого в работе однофотонного детектора. В частности, исследуются зависимости квантовой эффективности и скорости темнового счета от геометрических параметров детектора: толщины пленки, ширины полоски, а также от величины транспортного тока детектора. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих исследователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники и радиофизики.
|
