|
Records |
Links |
|
Author |
Елезов, М. С.; Тархов, М. А.; Дивочий, А. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Гольцман, Г. Н. |
![find book details (via ISBN) isbn](https://db.rplab.ru/refbase/img/isbn.gif)
|
|
Title |
Система регистрации одиночных фотонов в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах |
Type |
Conference Article |
|
Year |
2010 |
Publication |
Науч. сессия НИЯУ МИФИ |
Abbreviated Journal |
|
|
|
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
94-95 |
|
|
Keywords |
SSPD |
|
|
Abstract |
|
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue ![sorted by Series Issue field, descending order (down)](https://db.rplab.ru/refbase/img/sort_desc.gif) |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
978-5-7262-1227-2 |
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
|
Approved |
no |
|
|
Call Number |
RPLAB @ sasha @ елезов2010система |
Serial |
1032 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Симонов, Н. О.; Флоря, И. Н.; Корнеева, Ю. П.; Корнеев, А. А.; Гольцман, Г. Н. |
![find book details (via ISBN) isbn](https://db.rplab.ru/refbase/img/isbn.gif)
|
|
Title |
Однофотонный отклик в тонких сверхпроводящих MoNx пленках |
Type |
Conference Article |
|
Year |
2018 |
Publication |
Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт. |
Abbreviated Journal |
Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт. |
|
|
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
408-409 |
|
|
Keywords |
SSPD, SNSPD |
|
|
Abstract |
Продемонстрирован однофотонный отклик, при токе близком к критическому, в MoNx сверхпроводящих полосках шириной 70-104 нм. MoNx детекторы, имеющие коэффициент диффузии D≈0.32 см2/с и время электрон-фононного взаимодействия ηe-ph≈300 пс, достигают квантовой эффективности QE≈20% на длине волны λ=1550 нм. Возможность реализации однофотонного детектора в данном материале, подтверждает существующую теорию вихревого механизма возникновения фотоотклика в узких сверхпроводящих полосках. |
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue ![sorted by Series Issue field, descending order (down)](https://db.rplab.ru/refbase/img/sort_desc.gif) |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
978-5-7262-2445-9 |
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
УДК 535(06)+004(06) |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1251 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Проходцов, А. И.; Голиков, А. Д.; Ан, П. П.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н. |
![find record details (via OpenURL) openurl](https://db.rplab.ru/refbase/img/xref.gif)
|
|
Title |
Влияние покрытия из оксида кремния на эффективность фокусирующего решеточного элемента связи из нитрида кремния |
Type |
Conference Article |
|
Year |
2019 |
Publication |
Proc. IWQO |
Abbreviated Journal |
Proc. IWQO |
|
|
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
201-203 |
|
|
Keywords |
integrated optics, silicon nitride, focusing grating coupler |
|
|
Abstract |
В работе экспериментально изучена зависимость эффективности фокусирующего решеточного элемента связи от периода и фактора заполнения до и после напыления верхнего слоя из оксида кремния. Полученные данные имеют практическое значение при создании перестраиваемых интегрально-оптических устройств на нитриде кремния. |
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue ![sorted by Series Issue field, descending order (down)](https://db.rplab.ru/refbase/img/sort_desc.gif) |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
Duplicated as 1188 |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1282 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Елезов, М. С.; Щербатенко, М. Л.; Сыч, Д. В.; Гольцман, Г. Н. |
![find record details (via OpenURL) openurl](https://db.rplab.ru/refbase/img/xref.gif)
|
|
Title |
Практические особенности работы оптоволоконного квантового приемника Кеннеди |
Type |
Conference Article |
|
Year |
2019 |
Publication |
Proc. IWQO |
Abbreviated Journal |
Proc. IWQO |
|
|
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
303-305 |
|
|
Keywords |
Kennedy quantum receiver, fiber, quantum optics, standard quantum limit, superconducting nanowire single-photon detector, coherent detection |
|
|
Abstract |
Мы рассматриваем практические особенности работы квантового приемника на основе схемы Кеннеди, собранного из стандартных оптоволоконных элементов и сверхпроводникового детектора одиночных фотонов. Приемник разработан для различения двух фазовомодулированных когерентных состояний света на длине волны 1,5 микрона в непрерывном режиме с частотой модуляции 200 КГц и уровнем ошибок различения примерно в два раза ниже стандартного квантового предела. |
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue ![sorted by Series Issue field, descending order (down)](https://db.rplab.ru/refbase/img/sort_desc.gif) |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
Duplicated as 1288 |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1283 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Елманов, И. А.; Елманова, А. В.; Голиков, А. Д.; Комракова, С. А.; Каурова, Н. С.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н. |
![find record details (via OpenURL) openurl](https://db.rplab.ru/refbase/img/xref.gif)
|
|
Title |
Способ определения параметров резистов для электронной литографии фотонных интегральных схем на платформе нитрида кремния |
Type |
Conference Article |
|
Year |
2019 |
Publication |
Proc. IWQO |
Abbreviated Journal |
Proc. IWQO |
|
|
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
306-308 |
|
|
Keywords |
Si3N4, e-beam lithography, EBL |
|
|
Abstract |
В работе были измерены толщины резистов ZEP 520A и ma-N 2400 для электронно-лучевой литографии, неразрушающим способом, а также подобран рецепт, обеспечивающий высокое отношение скорости травления нитрида кремния по сравнению с резистом. Работа имеет практическое значение для электронной литографии интегрально-оптических устройств и устройств нанофотоники на основе нитрида кремния. |
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue ![sorted by Series Issue field, descending order (down)](https://db.rplab.ru/refbase/img/sort_desc.gif) |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
Duplicated as 1189 |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1284 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Вахтомин, Ю. Б.; Антипов, С. В.; Масленников, С. Н.; Смирнов, К. В.; Поляков, С. Л.; Чжан, В.; Свечников, С. И.; Каурова, Н. С.; Гришина, Е. В.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н. |
![goto web page (via DOI) doi](https://db.rplab.ru/refbase/img/doi.gif)
|
|
Title |
Квазиоптические смесители терагерцового диапазона на основе эффекта разогрева электронов в тонких пленках NbN |
Type |
Conference Article |
|
Year |
2006 |
Publication |
Proc. 16th Int. Crimean Microwave and Telecommunication Technology |
Abbreviated Journal |
|
|
|
Volume |
2 |
Issue |
|
Pages |
688-689 |
|
|
Keywords |
NbN HEB mixers |
|
|
Abstract |
Представлены результаты измерения рактеристик смесителей на эффекте разогрева электронов в тонких сверхпроводниковых пленках NbN. Смесители были изготовлены на основе пленок NbN толщиной 2-3.5 нм осажденных на кремниевую подложку с буферным подсло- ем MgO. Смесительный элемент согласовывался с планар- ной логопериодической спиральной антенной. Лучшее зна- чение шумовой температуры приемника на основе NbN смесителя составило 1300 К и 3100 К на частотах гетеро- дина 2.5 TГц и 3.8 ТГц, соответственно. Максимальное зна- чение полосы преобразования, измеренной на частоте 900 |Ц, достигло значения 5.2 ГГц для смесителя изготовлен- ного из NbN пленки толщиной 2 нм. Оптимальная мощность Представлены результаты измерения ха- гетеродинного источника составила 1-3 мкВт для смесите- лей с различным объемом смесительного элемента. |
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue ![sorted by Series Issue field, descending order (down)](https://db.rplab.ru/refbase/img/sort_desc.gif) |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
Duplicated as 1445 |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1446 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
![find record details (via OpenURL) openurl](https://db.rplab.ru/refbase/img/xref.gif)
|
|
Title |
Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge |
Type |
Journal Article |
|
Year |
1989 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
|
|
Volume |
23 |
Issue |
8 |
Pages |
1356-1361 |
|
|
Keywords |
Ge, crystallography |
|
|
Abstract |
Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1. |
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue ![sorted by Series Issue field, descending order (down)](https://db.rplab.ru/refbase/img/sort_desc.gif) |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
Duplicated as 1692 |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1691 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Кагане, М. Л.; Мултановский, В. В.; Птицина, Н. Г. |
![find record details (via OpenURL) openurl](https://db.rplab.ru/refbase/img/xref.gif)
|
|
Title |
Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках |
Type |
Journal Article |
|
Year |
1983 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
|
|
Volume |
17 |
Issue |
8 |
Pages |
1430-1437 |
|
|
Keywords |
BWO spectroscopy, pure semiconductors, residual impurities |
|
|
Abstract |
|
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue ![sorted by Series Issue field, descending order (down)](https://db.rplab.ru/refbase/img/sort_desc.gif) |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
Duplicated as 1714 |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1712 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
![find record details (via OpenURL) openurl](https://db.rplab.ru/refbase/img/xref.gif)
|
|
Title |
Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge |
Type |
Journal Article |
|
Year |
1990 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
|
|
Volume |
24 |
Issue |
10 |
Pages |
1881-1883 |
|
|
Keywords |
impurities, photoconductivity, Ge, capture of free carriers, magnetic field |
|
|
Abstract |
Цель настоящей работы — измерение кинетики примесной фотопроводимости в квантующих магнитных полях. |
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue ![sorted by Series Issue field, descending order (down)](https://db.rplab.ru/refbase/img/sort_desc.gif) |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
|
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1755 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Корнеев, А. А.; Окунев, О. В.; Чулкова, Г. М.; Смирнов, К. В.; Милостная, И. И.; Минаева, О. В.; Корнеева, Ю. П.; Каурова, Н. С.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н. |
![find record details (via OpenURL) openurl](https://db.rplab.ru/refbase/img/xref.gif)
|
|
Title |
Спонтанные и фотоиндуцированные резистивные состояния в узких сверхпроводящих NbN полосках |
Type |
Book Whole |
|
Year |
2015 |
Publication |
|
Abbreviated Journal |
|
|
|
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
|
|
Keywords |
NbN films |
|
|
Abstract |
Монография посвящена актуальной проблеме современной фотоники: разработке высокочувствительных и быстродействующих сверхпроводниковых однофотонных детекторов на основе тонкой пленки NbN. В работе исследуются неравновесные процессы, протекающие в тонкой сверхпроводящей пленке после поглощения инфракрасного фотона и приводящие к возникновению резистивного состояния. На этих процессах основан механизм фотоотклика исследуемого в работе однофотонного детектора. В частности, исследуются зависимости квантовой эффективности и скорости темнового счета от геометрических параметров детектора: толщины пленки, ширины полоски, а также от величины транспортного тока детектора. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих исследователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники и радиофизики. |
|
|
Address |
Москва |
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
МПГУ |
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue ![sorted by Series Issue field, descending order (down)](https://db.rplab.ru/refbase/img/sort_desc.gif) |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
978-5-4263-0269-3 |
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
УДК: 535; Число страниц: 108 |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1812 |
|
Permanent link to this record |