|
Author |
Title |
Year |
Publication |
Volume |
Pages |
Links |
|
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. |
Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках |
1989 |
Физика и техника полупроводников |
23 |
338-345 |
|
|
Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах |
1990 |
Физика и техника полупроводников |
24 |
3-24 |
|
|
Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе |
1991 |
Физика и техника полупроводников |
25 |
1986-1998 |
|
|
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge |
1989 |
Физика и техника полупроводников |
23 |
1356-1361 |
|
|
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. |
О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора в кремнии |
1984 |
Физика и техника полупроводников |
18 |
421-425 |
|