|
Author ![sorted by Author field, ascending order (up)](img/sort_asc.gif) |
Title |
Year |
Publication |
DOI |
Links |
|
Bondarenko, O. I.; Gershenzon, E. M.; Gurvich, Y. A.; Orlova, S. L.; Ptitsina, N. G. |
Measurement of the width of the cyclotron resonance line of n-type Ge in quantizing magnetic fields |
1972 |
Presumably: Sov. Phys. Semicond. | Физика и техника полупроводников |
|
|
|
Gershenzon, E. M.; Gurvich, Y. A.; Orlova, S. L.; Ptitsina, N. G. |
Scattering of electrons by charged impurities in Ge under cyclotron resonance conditions |
1976 |
Presumably: Sov. Phys. Semicond. | Физика и техника полупроводников |
|
|
|
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. |
Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках |
1989 |
Физика и техника полупроводников |
|
|
|
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. |
Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии |
1983 |
Физика и техника полупроводников |
|
|
|
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла |
1990 |
Физика и техника полупроводников |
|
|