|
|
Банная ВФ, Веселова ЛИ, Гершензон ЕМ. Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках. Физика и техника полупроводников. 1989;23(2):338–45.
Abstract: На примере легированного и слабо компенсированного Si⟨B⟩ проведены исследования особенностей температурной зависимости подвижности при различных механизмах рассеяния. Уточнен метод определения концентрации компенсирующей примеси по μI(T). Полученные результаты обсуждаются и для Ge.
|
|
|
|
Гершензон ЕМ, Семенов ИТ, Фогельсон МС. О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора в кремнии. Физика и техника полупроводников. 1984;18(3):421–5.
Abstract: Температурная зависимость ширины линии ЭПР доноров Р в Si исследована в интервале концентрации ND=2.5⋅1017−9⋅1017см−3 и температур T=1.7−45 K на образцах с различной степенью компенсации основной примеси. Результаты согласуются с моделью обменного сужения линии при учете температурной зависимости обменного интеграла и тем самым исключают предлагавшийся ранее механизм сужения линии вследствие прыжкового движения электронов по примесным центрам.
|
|
|
|
Гершензон ЕМ, Мельников АП, Рабинович РИ, Смирнова ВБ. О возможности создания инверсной функции распределения свободных носителей в полупроводниках при захвате на мелкие нейтральные примеси. Физика и техника полупроводников. 1983;17(3):499–501.
|
|
|
|
Гершензон ЕМ, Гершензон МЕ, Гольцман ГН, Семенов АД, Сергеев АВ. Неселективное воздействие электромагнитного излучения на сверхпроводящую пленку в резистивном состоянии. Письма в ЖЭТФ. 1982;36(7):241–4.
|
|
|
|
Гершензон ЕМ, Гольцман ГН, Елантьев АИ, Карасик БС, Потоскуев СЭ. Разогрев электронов в резистивном состоянии сверхпроводника электромагнитным излучением значительной интенсивности. Физика низких температур. 1988;14(7):753–63.
|
|
