Гершензон ЕМ, Литвак-Горская ЛБ, Луговая ГЯ, Шапиро ЕЗ. Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩. Физика и техника полупроводников. 1986;20(1):99–103.
Abstract: В рамках теории квантовых поправок к проводимости объяснено отрицательное магнитосопротивление в n-Ge с концентрацией доноров Nd≃2.8⋅1016÷1.1⋅1017см−3, наблюдаемое в диапазоне температур 4.2−10 K, когда основной вклад в проводимость дают электроны верхней зоны Хаббарда. Показано, что время релаксации фазы волновой функции τφ определяется временем электрон-фононного взаимодействия τeph.
|
|
Гершензон ЕМ, Семенов ИТ, Фогельсон МС. Спин-решеточная релаксация доноров фосфора в кремнии при одноосной деформации образца. Физика и техника полупроводников. 1985;19(9):1696–8.
|
Гершензон ЕМ, Семенов ИТ, Фогельсон МС. О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора в кремнии. Физика и техника полупроводников. 1984;18(3):421–5.
Abstract: Температурная зависимость ширины линии ЭПР доноров Р в Si исследована в интервале концентрации ND=2.5⋅1017−9⋅1017см−3 и температур T=1.7−45 K на образцах с различной степенью компенсации основной примеси. Результаты согласуются с моделью обменного сужения линии при учете температурной зависимости обменного интеграла и тем самым исключают предлагавшийся ранее механизм сужения линии вследствие прыжкового движения электронов по примесным центрам.
|
|
Банная ВФ, Веселова ЛИ, Гершензон ЕМ. Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии. Физика и техника полупроводников. 1983;17(10):1896–8.
|
|
Гершензон ЕМ, Литвак-Горская ЛБ, Рабинович РИ. Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда. Физика и техника полупроводников. 1983;17(10):1873–6.
|
