|
|
Гершензон ЕМ, Гольцман ГН, Елантьев АИ, Кагане МЛ, Мултановский ВВ, Птицина НГ. Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках. Физика и техника полупроводников. 1983;17(8):1430–7.
|
|
|
|
Банная ВФ, Веселова ЛИ, Гершензон ЕМ. Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии. Физика и техника полупроводников. 1983;17(10):1896–8.
|
|
|
|
Гершензон ЕМ, Литвак-Горская ЛБ, Рабинович РИ. Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда. Физика и техника полупроводников. 1983;17(10):1873–6.
|
|
|
|
Гершензон ЕМ, Мельников АП, Рабинович РИ, Смирнова ВБ. О возможности создания инверсной функции распределения свободных носителей в полупроводниках при захвате на мелкие нейтральные примеси. Физика и техника полупроводников. 1983;17(3):499–501.
|
|
|
|
Gershenson EM, Gol'tsman GN, Elant'ev AI, Kagane ML, Multanovskii VV, Ptitsina NG. Use of submillimeter backward-wave tube spectroscopy in determination of the chemical nature and concentration of residual impurities in pure semiconductors. Sov Phys Semicond. 1983;17(8):908–13.
|
|
