|
|
Гершензон ЕМ, Гольцман ГН, Елантьев АИ, Кагане МЛ, Мултановский ВВ, Птицина НГ. Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках. Физика и техника полупроводников. 1983;17(8):1430–7.
|
|
|
|
Гершензон ЕМ, Мельников АП, Рабинович РИ, Смирнова ВБ. О возможности создания инверсной функции распределения свободных носителей в полупроводниках при захвате на мелкие нейтральные примеси. Физика и техника полупроводников. 1983;17(3):499–501.
|
|
|
|
Гольцман ГН, Птицина НГ, Ригер ЕР. Оже-рекомбинация свободных носителей на мелких донорах в германии. Физика и техника полупроводников. 1984;18(9):1684–6.
|
|
|
|
Гершензон ЕМ, Литвак-Горская ЛБ, Луговая ГЯ, Шапиро ЕЗ. Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩. Физика и техника полупроводников. 1986;20(1):99–103.
Abstract: В рамках теории квантовых поправок к проводимости объяснено отрицательное магнитосопротивление в n-Ge с концентрацией доноров Nd≃2.8⋅1016÷1.1⋅1017см−3, наблюдаемое в диапазоне температур 4.2−10 K, когда основной вклад в проводимость дают электроны верхней зоны Хаббарда. Показано, что время релаксации фазы волновой функции τφ определяется временем электрон-фононного взаимодействия τeph.
|
|
|
|
Гершензон ЕМ, Семенов ИТ, Фогельсон МС. О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора в кремнии. Физика и техника полупроводников. 1984;18(3):421–5.
Abstract: Температурная зависимость ширины линии ЭПР доноров Р в Si исследована в интервале концентрации ND=2.5⋅1017−9⋅1017см−3 и температур T=1.7−45 K на образцах с различной степенью компенсации основной примеси. Результаты согласуются с моделью обменного сужения линии при учете температурной зависимости обменного интеграла и тем самым исключают предлагавшийся ранее механизм сужения линии вследствие прыжкового движения электронов по примесным центрам.
|
|
