|
Гершензон ЕМ, Гольцман ГН, Елантьев АИ, Кагане МЛ, Мултановский ВВ, Птицина НГ. Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках. Физика и техника полупроводников. 1983;17(8):1430–7.
|
|
|
Банная ВФ, Веселова ЛИ, Гершензон ЕМ. Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии. Физика и техника полупроводников. 1983;17(10):1896–8.
|
|
|
Гершензон ЕМ, Литвак-Горская ЛБ, Рабинович РИ. Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда. Физика и техника полупроводников. 1983;17(10):1873–6.
|
|
|
Гершензон ЕМ, Мельников АП, Рабинович РИ, Смирнова ВБ. О возможности создания инверсной функции распределения свободных носителей в полупроводниках при захвате на мелкие нейтральные примеси. Физика и техника полупроводников. 1983;17(3):499–501.
|
|
|
Gershenzon EM, Gurvich YA, Orlova SL, Ptitsina NG. Scattering of electrons by charged impurities in Ge under cyclotron resonance conditions. Presumably: Sov Phys Semicond | Физика и техника полупроводников. 1976;10:1379–83.
|
|