Home << 1 2 3 4 >>
List View
 | 
Citations
 | 
Details
   web
Records
Author Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И.
Title Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов Type Journal Article
Year 2010 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal
Volume 44 Issue 11 Pages 1475-1478
Keywords 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures mixers
Abstract Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3·105 см2/В·с при 4.2 K.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language (up) Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1216 Approved no
Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 702
Permanent link to this record
 
 
Author Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.
Title Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках Type Journal Article
Year 1989 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 23 Issue 2 Pages 338-345
Keywords weakly compensated Si, Ge, doped, Hall mobility
Abstract На примере легированного и слабо компенсированного Si⟨B⟩ проведены исследования особенностей температурной зависимости подвижности при различных механизмах рассеяния. Уточнен метод определения концентрации компенсирующей примеси по μI(T). Полученные результаты обсуждаются и для Ge.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language (up) Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1758
Permanent link to this record
 
 
Author Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З.
Title Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ Type Journal Article
Year 1986 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 20 Issue 1 Pages 99-103
Keywords n-Ge, Hubbard upper zone conductivity, negative magnetoresistance
Abstract В рамках теории квантовых поправок к проводимости объяснено отрицательное магнитосопротивление в n-Ge с концентрацией доноров Nd≃2.8⋅1016÷1.1⋅1017см−3, наблюдаемое в диапазоне температур 4.2−10 K, когда основной вклад в проводимость дают электроны верхней зоны Хаббарда. Показано, что время релаксации фазы волновой функции τφ определяется временем электрон-фононного взаимодействия τeph.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language (up) Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1759
Permanent link to this record
 
 
Author Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С.
Title Спин-решеточная релаксация доноров фосфора в кремнии при одноосной деформации образца Type Journal Article
Year 1985 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 19 Issue 9 Pages 1696-1698
Keywords uniaxial pressure, Ge, phosphorus donors, spin-lattice relaxation
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language (up) Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1760
Permanent link to this record
 
 
Author Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С.
Title О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора в кремнии Type Journal Article
Year 1984 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 18 Issue 3 Pages 421-425
Keywords Si, phosphorus donors, EPR
Abstract Температурная зависимость ширины линии ЭПР доноров Р в Si исследована в интервале концентрации ND=2.5⋅1017−9⋅1017см−3 и температур T=1.7−45 K на образцах с различной степенью компенсации основной примеси. Результаты согласуются с моделью обменного сужения линии при учете температурной зависимости обменного интеграла и тем самым исключают предлагавшийся ранее механизм сужения линии вследствие прыжкового движения электронов по примесным центрам.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language (up) Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1761
Permanent link to this record