toggle visibility Search & Display Options

Select All    Deselect All
List View
 |   | 
   print
  Author (up) Title Year Publication Volume Pages Links
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках 1989 Физика и техника полупроводников 23 338-345 details   url
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии 1983 Физика и техника полупроводников 17 1896-1898 details   url
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б. Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла 1990 Физика и техника полупроводников 24 2145-2150 details   url
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge 1990 Физика и техника полупроводников 24 1881-1883 details   url
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge 1989 Физика и техника полупроводников 23 1356-1361 details   url
Select All    Deselect All
List View
 |   | 
   print

Save Citations:
Export Records: