| |
Author |
Title |
Year |
Publication |
DOI  |
Links |
|
|
Gershenzon, E. M.; Gol'tsman, G. N. |
Transitions of electrons between excited states of donors in germanium |
1971 |
JETP Lett. |
|
|
|
|
Gershenzon, E. M.; Goltsman, G.; Orlova, S.; Ptitsina, N.; Gurvich, Y. |
Germanium hot-electron narrow-band detector |
1971 |
Sov. Radio Engineering And Electronic Physics |
|
|
|
|
Gershenzon, E. M.; Gol'tsman, G. N.; Emtsev, V. V.; Mashovets, T. V.; Ptitsyna, N. G.; Ryvkin, S. M. |
Role of impurities of groups III and V in the formation of defects following γ irradiation of germanium |
1971 |
JETP Lett. |
|
|
|
|
Pentin, Ivan; Finkel, Matvey; Maslennikov, Sergey; Vakhtomin, Yuri; Smirnov, Konstantin; Kaurova, Nataliya; Goltsman, Gregory |
Superconducting hot-electron-bolometer mixers for the mid-IR |
2017 |
Rus. J. Radio Electron. |
|
|
|
|
Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе |
1991 |
Физика и техника полупроводников |
|
|
|
|
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла |
1990 |
Физика и техника полупроводников |
|
|
|
|
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge |
1990 |
Физика и техника полупроводников |
|
|
|
|
Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах |
1990 |
Физика и техника полупроводников |
|
|
|
|
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. |
Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках |
1989 |
Физика и техника полупроводников |
|
|
|
|
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З. |
Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ |
1986 |
Физика и техника полупроводников |
|
|
|
|
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. |
Спин-решеточная релаксация доноров фосфора в кремнии при одноосной деформации образца |
1985 |
Физика и техника полупроводников |
|
|
|
|
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. |
О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора в кремнии |
1984 |
Физика и техника полупроводников |
|
|
|
|
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. |
Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии |
1983 |
Физика и техника полупроводников |
|
|
|
|
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Рабинович, Р. И. |
Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда |
1983 |
Физика и техника полупроводников |
|
|
|
|
Гершензон, Е. М.; Мельников, А. П.; Рабинович, Р. И.; Смирнова, В. Б. |
О возможности создания инверсной функции распределения свободных носителей в полупроводниках при захвате на мелкие нейтральные примеси |
1983 |
Физика и техника полупроводников |
|
|
