Home [1–10] << 11 12 13 >>
List View
 | 
Citations
 | 
Details
   web
Records
Author Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б.
Title (up) Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе Type Journal Article
Year 1991 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 25 Issue 11 Pages 1986-1998
Keywords n-InSb mixer
Abstract Проведено комплексное исследование n-InSb смесителя на λ=2.6 мм, включающее в себя исследование вольт-амперных характеристик при E=0−2 В/см, температурной зависимости проводимости в диапазоне T=1.6−20 K, высокочастотной проводимости при f=0.5−10 МГц и магнитосопротивления при H=0−5 кЭ. Показано, что в оптимальном режиме механизм преобразования частоты связан с фотоионизационными процессами при прыжковой фотопроводимости (ПФП). На основе модели ПФП рассчитан коэффициент преобразования смесителя и произведено сопоставление его с экспериментом. Показана несостоятельность модели преобразования частоты в компенсированном n-InSb (K≥0.8), основанной на разогреве электронов. Обсуждены требования к параметрам материала и режимам n-InSb смесителя миллиметрового диапазона волн.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1753
Permanent link to this record
 
 
Author Гершензон, Е. М.; Мельников, А. П.; Рабинович, Р. И.; Смирнова, В. Б.
Title (up) О возможности создания инверсной функции распределения свободных носителей в полупроводниках при захвате на мелкие нейтральные примеси Type Journal Article
Year 1983 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 17 Issue 3 Pages 499-501
Keywords shallow neutral impurities, capture, inverse distribution function, Si
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1764
Permanent link to this record
 
 
Author Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С.
Title (up) О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора в кремнии Type Journal Article
Year 1984 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 18 Issue 3 Pages 421-425
Keywords Si, phosphorus donors, EPR
Abstract Температурная зависимость ширины линии ЭПР доноров Р в Si исследована в интервале концентрации ND=2.5⋅1017−9⋅1017см−3 и температур T=1.7−45 K на образцах с различной степенью компенсации основной примеси. Результаты согласуются с моделью обменного сужения линии при учете температурной зависимости обменного интеграла и тем самым исключают предлагавшийся ранее механизм сужения линии вследствие прыжкового движения электронов по примесным центрам.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1761
Permanent link to this record
 
 
Author Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З.
Title (up) Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ Type Journal Article
Year 1986 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 20 Issue 1 Pages 99-103
Keywords n-Ge, Hubbard upper zone conductivity, negative magnetoresistance
Abstract В рамках теории квантовых поправок к проводимости объяснено отрицательное магнитосопротивление в n-Ge с концентрацией доноров Nd≃2.8⋅1016÷1.1⋅1017см−3, наблюдаемое в диапазоне температур 4.2−10 K, когда основной вклад в проводимость дают электроны верхней зоны Хаббарда. Показано, что время релаксации фазы волновой функции τφ определяется временем электрон-фононного взаимодействия τeph.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1759
Permanent link to this record
 
 
Author Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.
Title (up) Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии Type Journal Article
Year 1983 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 17 Issue 10 Pages 1896-1898
Keywords Ge, deep impurities
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1762
Permanent link to this record
 
 
Author Золотов, Ф. И.; Смирнов, К. В.
Title (up) Особенности осаждения разупорядоченных сверхтонких плёнок нитрида ванадия Type Conference Article
Year 2019 Publication Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е. В. Арменского Abbreviated Journal
Volume Issue Pages 204-205
Keywords VN films
Abstract В работе изучены особенности роста сверхтонких плёнок нитрида ванадия толщиной ~10 нм. Обнаружено, что при изменении температуры подложки и общего давления газов в процессе осаждения плёнок меняется значение их поверхностного сопротивления вблизи перехода к сверхпроводящему состоянию.
Address Москва
Corporate Author Thesis
Publisher МИЭМ НИУ ВШЭ Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1805
Permanent link to this record
 
 
Author Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.
Title (up) Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках Type Journal Article
Year 1989 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 23 Issue 2 Pages 338-345
Keywords weakly compensated Si, Ge, doped, Hall mobility
Abstract На примере легированного и слабо компенсированного Si⟨B⟩ проведены исследования особенностей температурной зависимости подвижности при различных механизмах рассеяния. Уточнен метод определения концентрации компенсирующей примеси по μI(T). Полученные результаты обсуждаются и для Ge.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1758
Permanent link to this record
 
 
Author Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Рабинович, Р. И.
Title (up) Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда Type Journal Article
Year 1983 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 17 Issue 10 Pages 1873-1876
Keywords compensated n-InSb, Hubbard upper zone conductivity, negative magnetoresistance
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1763
Permanent link to this record
 
 
Author Мошкова, М. А.; Дивочий, А. В.; Морозов, П. В.; Антипов, А. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, К. В.
Title (up) Оценка статистики распределения фотонов с использованием многоэлементного сверхпроводникового однофотонного детектора Type Conference Article
Year 2019 Publication Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е. В. Арменского Abbreviated Journal
Volume Issue Pages 201-202
Keywords SSPD
Abstract Проведен сравнительный анализ топологий сверхпроводниковых однофотонных детекторов с способностью к разрешению до четырёх фотонов в коротком импульсе ИК излучения. Получен детектор, с системной квантовой эффективностью ~85% на λ=1550 нм. Продемонстрирована возможность его использования для распределения числа фотонов импульсного источника излучения.
Address Москва
Corporate Author Thesis
Publisher МИЭМ НИУ ВШЭ Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1804
Permanent link to this record
 
 
Author Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б.
Title (up) Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла Type Journal Article
Year 1990 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 24 Issue 12 Pages 2145-2150
Keywords Hall constant, concentration of impurities, p-Si
Abstract На примере p-Si⟨B,\,Ga⟩ с различной степенью компенсации проведена сравнительная оценка точности определения раздельной концентрации примесей по температурной зависимости концентрации дырок p(T) в случае одной и двух легирующих примесей с энергиями ионизации, различающимися менее чем в 2 раза. Исследована функция среднеквадратичного отклонения в пространстве параметров D(Nк, N2) (Nк, N1 и N2 — концентрации компенсирующих примесей бора и галлия соответственно, N2≫N1) в предположении, что N2, энергии B и Ga известны. Показано, что в случае двух легирующих примесей D(Nк, N1) в окрестностях минимума имеет «овражный» рельеф и при некоторых соотношениях между Nк и N1 разброс искомых величин превышает порядок, причем увеличение точности измерений p(T) существенного улучшения в вычислении параметров не дает. При одной легирующей примеси точность вычисления параметров высокая.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1754
Permanent link to this record