Home [1–10] << 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 >> [21–30]
List View
 | 
Citations
 | 
Details
   web
Records
Author Гершензон, Е. М.; Мельников, А. П.; Рабинович, Р. И.; Смирнова, В. Б.
Title О возможности создания инверсной функции распределения свободных носителей в полупроводниках при захвате на мелкие нейтральные примеси Type Journal Article
Year 1983 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 17 Issue 3 Pages 499-501
Keywords shallow neutral impurities, capture, inverse distribution function, Si
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1764
Permanent link to this record
 
 
Author Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Кагане, М. Л.; Мултановский, В. В.; Птицина, Н. Г.
Title Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках Type Journal Article
Year 1983 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 17 Issue 8 Pages 1430-1437
Keywords BWO spectroscopy, pure semiconductors, residual impurities
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1714 Approved no
Call Number Serial 1712
Permanent link to this record
 
 
Author Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Рабинович, Р. И.
Title Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда Type Journal Article
Year 1983 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 17 Issue 10 Pages 1873-1876
Keywords compensated n-InSb, Hubbard upper zone conductivity, negative magnetoresistance
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1763
Permanent link to this record
 
 
Author Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.
Title Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии Type Journal Article
Year 1983 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 17 Issue 10 Pages 1896-1898
Keywords Ge, deep impurities
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1762
Permanent link to this record
 
 
Author Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.
Title Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках Type Journal Article
Year 1989 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 23 Issue 2 Pages 338-345
Keywords weakly compensated Si, Ge, doped, Hall mobility
Abstract На примере легированного и слабо компенсированного Si⟨B⟩ проведены исследования особенностей температурной зависимости подвижности при различных механизмах рассеяния. Уточнен метод определения концентрации компенсирующей примеси по μI(T). Полученные результаты обсуждаются и для Ge.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1758
Permanent link to this record
 
 
Author Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.
Title Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge Type Journal Article
Year 1989 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 23 Issue 8 Pages 1356-1361
Keywords Ge, crystallography
Abstract Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1692 Approved no
Call Number Serial 1691
Permanent link to this record
 
 
Author Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б.
Title Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах Type Journal Article
Year 1990 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 24 Issue 1 Pages 3-24
Keywords compensated n-InSb, impurities
Abstract Представлен обзор результатов цикла исследований природы электропроводности предельно очищенных образцов антимонида индия n-типа. Рассмотрены способы определения концентрации доноров и степени компенсации в этом материале, обсуждается роль свободных и локализованных на донорах электронов в электропроводности при гелиевых температурах. Обсуждение основано на анализе результатов исследования гальваномагнитных явлений, поглощения СВЧ излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов и ультразвука. Рассмотрены способы определения характеристик материала на основе комплекса результатов, полученных с помощью указанных методов. Обсуждается также фотопроводимость по примесям в n-InSb.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1756
Permanent link to this record
 
 
Author Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.
Title Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge Type Journal Article
Year 1990 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 24 Issue 10 Pages 1881-1883
Keywords impurities, photoconductivity, Ge, capture of free carriers, magnetic field
Abstract Цель настоящей работы — измерение кинетики примесной фотопроводи­мости в квантующих магнитных полях.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1755
Permanent link to this record
 
 
Author Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б.
Title Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла Type Journal Article
Year 1990 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 24 Issue 12 Pages 2145-2150
Keywords Hall constant, concentration of impurities, p-Si
Abstract На примере p-Si⟨B,\,Ga⟩ с различной степенью компенсации проведена сравнительная оценка точности определения раздельной концентрации примесей по температурной зависимости концентрации дырок p(T) в случае одной и двух легирующих примесей с энергиями ионизации, различающимися менее чем в 2 раза. Исследована функция среднеквадратичного отклонения в пространстве параметров D(Nк, N2) (Nк, N1 и N2 — концентрации компенсирующих примесей бора и галлия соответственно, N2≫N1) в предположении, что N2, энергии B и Ga известны. Показано, что в случае двух легирующих примесей D(Nк, N1) в окрестностях минимума имеет «овражный» рельеф и при некоторых соотношениях между Nк и N1 разброс искомых величин превышает порядок, причем увеличение точности измерений p(T) существенного улучшения в вычислении параметров не дает. При одной легирующей примеси точность вычисления параметров высокая.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1754
Permanent link to this record
 
 
Author Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б.
Title Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе Type Journal Article
Year 1991 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 25 Issue 11 Pages 1986-1998
Keywords n-InSb mixer
Abstract Проведено комплексное исследование n-InSb смесителя на λ=2.6 мм, включающее в себя исследование вольт-амперных характеристик при E=0−2 В/см, температурной зависимости проводимости в диапазоне T=1.6−20 K, высокочастотной проводимости при f=0.5−10 МГц и магнитосопротивления при H=0−5 кЭ. Показано, что в оптимальном режиме механизм преобразования частоты связан с фотоионизационными процессами при прыжковой фотопроводимости (ПФП). На основе модели ПФП рассчитан коэффициент преобразования смесителя и произведено сопоставление его с экспериментом. Показана несостоятельность модели преобразования частоты в компенсированном n-InSb (K≥0.8), основанной на разогреве электронов. Обсуждены требования к параметрам материала и режимам n-InSb смесителя миллиметрового диапазона волн.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1753
Permanent link to this record
 
 
Author Somani, S.; Kasapi, S.; Wilsher, K.; Lo, W.; Sobolewski, R.; Gol’tsman, G.
Title New photon detector for device analysis: Superconducting single-photon detector based on a hot electron effect Type Journal Article
Year 2001 Publication J. Vac. Sci. Technol. B Abbreviated Journal J. Vac. Sci. Technol. B
Volume 19 Issue 6 Pages 2766-2769
Keywords NbN SSPD, SNSPD
Abstract A novel superconducting single-photon detector (SSPD), intrinsically capable of high quantum efficiency (up to 20%) over a wide spectral range (ultraviolet to infrared), with low dark counts (<1 cps), and fast (<40 ps) timing resolution, is described. This SSPD has been used to perform timing measurements on complementary metal–oxide–semiconductor integrated circuits (ICs) by detecting the infrared light emission from switching transistors. Measurements performed from the backside of a 0.13 μm geometry flip–chip IC are presented. Other potential applications for this detector are in telecommunications, quantum cryptography, biofluorescence, and chemical kinetics.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN 0734211X ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1542
Permanent link to this record
 
 
Author Semenov, Alexei D; Gol'tsman, Gregory N; Sobolewski, Roman
Title Hot-electron effect in superconductors and its applications for radiation sensors Type Journal Article
Year 2002 Publication Superconductor Science and Technology Abbreviated Journal Supercond. Sci. Technol.
Volume 15 Issue 4 Pages R1-R16
Keywords HEB, SSPD
Abstract The paper reviews the main aspects of nonequilibrium hot-electron phenomena in superconductors and various theoretical models developed to describe the hot-electron effect. We discuss implementation of the hot-electron avalanche mechanism in superconducting radiation sensors and present the most successful practical devices, such as terahertz mixers and direct intensity detectors, for far-infrared radiation. Our presentation also includes the novel approach to hot-electron quantum detection implemented in superconducting x-ray to optical photon counters.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN 0953-2048 ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 416
Permanent link to this record
 
 
Author Hajenius, M.; Baselmans, J. J. A.; Gao, J. R.; Klapwijk, T. M.; de Korte, P. A. J.; Voronov, B.; Gol'tsman, G.
Title Low noise NbN superconducting hot electron bolometer mixers at 1.9 and 2.5 THz Type Journal Article
Year 2004 Publication Supercond. Sci. Technol. Abbreviated Journal Supercond. Sci. Technol.
Volume 17 Issue 5 Pages S224-S228
Keywords NbN HEB mixers
Abstract NbN phonon-cooled hot electron bolometer mixers (HEBs) have been realized with negligible contact resistance between the bolometer itself and the contact structure. Using a combination of in situ cleaning of the NbN film and the use of an additional superconducting interlayer of a 10 nm NbTiN layer between the Au of the contact structure and the NbN film superior noise temperatures have been obtained as low as 950 K at 2.5 THz and 750 K at 1.9 THz. Here we address in detail the DC characterization of these devices, the interface transparencies between the bolometers and the contacts and the consequences of these factors on the mixer performance.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN 0953-2048 ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 558
Permanent link to this record
 
 
Author Gershenzon, E. M.; Gol'tsman, G. N.; Ptitsina, N. G.
Title Submillimeter spectroscopy of semiconductors Type Journal Article
Year 1973 Publication Sov. Phys. JETP Abbreviated Journal Sov. Phys. JETP
Volume 37 Issue 2 Pages 299-304
Keywords semiconductors, submillimeter spectroscopy, spectrometer, BWO, Ge, free excitons
Abstract The possibility is considered of carrying out submillimeter-wave spectral investigations of semiconductors by means of a high resolution spectrometer with backward-wave tubes. Results of a study of the excitation spectra of small impurities, D-(A +) centers and free excitons in germanium are presented.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1735
Permanent link to this record
 
 
Author Gershenzon, E. M.; Gurvich, Yu. A.; Orlova, S. L.; Ptitsina, N. G.
Title Cyclotron resonance of electrons in Ge in a quantizing magnetic field in the case of inelastic scattering by acoustic phonons Type Journal Article
Year 1975 Publication Sov. Phys. JETP Abbreviated Journal Sov. Phys. JETP
Volume 40 Issue 2 Pages 311-315
Keywords Ge, cyclotron resonance
Abstract Results are presented of an experimental study of the linewidth of cyclotron resonance under strong quantization conditions on the scattering of electrons by acoustic phonons. The measurements were performed in the 2....{).4 mm wavelength range at temperatures between 10 and 1.4 OK. A number of singularities were observed in the temperature and frequency dependences of the cyclotron linewidth. These can be ascribed to the effect of inhomogeneous broadening due to nonparabolicity of the electron spectrum, which is renormalized as a result of interaction with acoustic phonons.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1768
Permanent link to this record