|
Records |
Links |
|
Author |
Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Кагане, М. Л.; Мултановский, В. В.; Птицина, Н. Г. |
|
|
Title |
Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках |
Type |
Journal Article |
|
Year |
1983 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
|
|
Volume |
17 |
Issue |
8 |
Pages |
1430-1437 |
|
|
Keywords |
BWO spectroscopy, pure semiconductors, residual impurities |
|
|
Abstract |
|
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
Duplicated as 1714 |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1712 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Рабинович, Р. И. |
|
|
Title |
Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда |
Type |
Journal Article |
|
Year |
1983 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
|
|
Volume |
17 |
Issue |
10 |
Pages |
1873-1876 |
|
|
Keywords |
compensated n-InSb, Hubbard upper zone conductivity, negative magnetoresistance |
|
|
Abstract |
|
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
|
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1763 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. |
|
|
Title |
Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии |
Type |
Journal Article |
|
Year |
1983 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
|
|
Volume |
17 |
Issue |
10 |
Pages |
1896-1898 |
|
|
Keywords |
Ge, deep impurities |
|
|
Abstract |
|
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
|
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1762 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. |
|
|
Title |
Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках |
Type |
Journal Article |
|
Year |
1989 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
|
|
Volume |
23 |
Issue |
2 |
Pages |
338-345 |
|
|
Keywords |
weakly compensated Si, Ge, doped, Hall mobility |
|
|
Abstract |
На примере легированного и слабо компенсированного Si⟨B⟩ проведены исследования особенностей температурной зависимости подвижности при различных механизмах рассеяния. Уточнен метод определения концентрации компенсирующей примеси по μI(T). Полученные результаты обсуждаются и для Ge. |
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
|
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1758 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
|
|
Title |
Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge |
Type |
Journal Article |
|
Year |
1989 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
|
|
Volume |
23 |
Issue |
8 |
Pages |
1356-1361 |
|
|
Keywords |
Ge, crystallography |
|
|
Abstract |
Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1. |
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
Duplicated as 1692 |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1691 |
|
Permanent link to this record |