RpLab Home

Bibliography database of Radiophysics Laboratory (RpLab)

Home |  Show All |  Simple Search |  Advanced Search
Quick Search:
71-80 of 129 records found matching your query:
toggle visibility Search & Display Options
Select All    Deselect All << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> [11–13]
List View
 | 
Citations
 | 
Details
   print
  Records Links
Author Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б. url  openurl
  Title Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе Type Journal Article
  Year 1991 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 25 Issue 11 Pages 1986-1998  
  Keywords n-InSb mixer  
  Abstract Проведено комплексное исследование n-InSb смесителя на λ=2.6 мм, включающее в себя исследование вольт-амперных характеристик при E=0−2 В/см, температурной зависимости проводимости в диапазоне T=1.6−20 K, высокочастотной проводимости при f=0.5−10 МГц и магнитосопротивления при H=0−5 кЭ. Показано, что в оптимальном режиме механизм преобразования частоты связан с фотоионизационными процессами при прыжковой фотопроводимости (ПФП). На основе модели ПФП рассчитан коэффициент преобразования смесителя и произведено сопоставление его с экспериментом. Показана несостоятельность модели преобразования частоты в компенсированном n-InSb (K≥0.8), основанной на разогреве электронов. Обсуждены требования к параметрам материала и режимам n-InSb смесителя миллиметрового диапазона волн.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference (up)  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1753  
Permanent link to this record
 
 
Author Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б. url  openurl
  Title Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла Type Journal Article
  Year 1990 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 24 Issue 12 Pages 2145-2150  
  Keywords Hall constant, concentration of impurities, p-Si  
  Abstract На примере p-Si⟨B,\,Ga⟩ с различной степенью компенсации проведена сравнительная оценка точности определения раздельной концентрации примесей по температурной зависимости концентрации дырок p(T) в случае одной и двух легирующих примесей с энергиями ионизации, различающимися менее чем в 2 раза. Исследована функция среднеквадратичного отклонения в пространстве параметров D(Nк, N2) (Nк, N1 и N2 — концентрации компенсирующих примесей бора и галлия соответственно, N2≫N1) в предположении, что N2, энергии B и Ga известны. Показано, что в случае двух легирующих примесей D(Nк, N1) в окрестностях минимума имеет «овражный» рельеф и при некоторых соотношениях между Nк и N1 разброс искомых величин превышает порядок, причем увеличение точности измерений p(T) существенного улучшения в вычислении параметров не дает. При одной легирующей примеси точность вычисления параметров высокая.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference (up)  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1754  
Permanent link to this record
 
 
Author Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б. url  openurl
  Title Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах Type Journal Article
  Year 1990 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 24 Issue 1 Pages 3-24  
  Keywords compensated n-InSb, impurities  
  Abstract Представлен обзор результатов цикла исследований природы электропроводности предельно очищенных образцов антимонида индия n-типа. Рассмотрены способы определения концентрации доноров и степени компенсации в этом материале, обсуждается роль свободных и локализованных на донорах электронов в электропроводности при гелиевых температурах. Обсуждение основано на анализе результатов исследования гальваномагнитных явлений, поглощения СВЧ излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов и ультразвука. Рассмотрены способы определения характеристик материала на основе комплекса результатов, полученных с помощью указанных методов. Обсуждается также фотопроводимость по примесям в n-InSb.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference (up)  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1756  
Permanent link to this record
 
 
Author Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. url  openurl
  Title Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках Type Journal Article
  Year 1989 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 23 Issue 2 Pages 338-345  
  Keywords weakly compensated Si, Ge, doped, Hall mobility  
  Abstract На примере легированного и слабо компенсированного Si⟨B⟩ проведены исследования особенностей температурной зависимости подвижности при различных механизмах рассеяния. Уточнен метод определения концентрации компенсирующей примеси по μI(T). Полученные результаты обсуждаются и для Ge.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference (up)  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1758  
Permanent link to this record
 
 
Author Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З. url  openurl
  Title Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ Type Journal Article
  Year 1986 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 20 Issue 1 Pages 99-103  
  Keywords n-Ge, Hubbard upper zone conductivity, negative magnetoresistance  
  Abstract В рамках теории квантовых поправок к проводимости объяснено отрицательное магнитосопротивление в n-Ge с концентрацией доноров Nd≃2.8⋅1016÷1.1⋅1017см−3, наблюдаемое в диапазоне температур 4.2−10 K, когда основной вклад в проводимость дают электроны верхней зоны Хаббарда. Показано, что время релаксации фазы волновой функции τφ определяется временем электрон-фононного взаимодействия τeph.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference (up)  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1759  
Permanent link to this record
 
 
Author Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. url  openurl
  Title Спин-решеточная релаксация доноров фосфора в кремнии при одноосной деформации образца Type Journal Article
  Year 1985 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 19 Issue 9 Pages 1696-1698  
  Keywords uniaxial pressure, Ge, phosphorus donors, spin-lattice relaxation  
  Abstract  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference (up)  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1760  
Permanent link to this record
 
 
Author Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. url  openurl
  Title О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора в кремнии Type Journal Article
  Year 1984 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 18 Issue 3 Pages 421-425  
  Keywords Si, phosphorus donors, EPR  
  Abstract Температурная зависимость ширины линии ЭПР доноров Р в Si исследована в интервале концентрации ND=2.5⋅1017−9⋅1017см−3 и температур T=1.7−45 K на образцах с различной степенью компенсации основной примеси. Результаты согласуются с моделью обменного сужения линии при учете температурной зависимости обменного интеграла и тем самым исключают предлагавшийся ранее механизм сужения линии вследствие прыжкового движения электронов по примесным центрам.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference (up)  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1761  
Permanent link to this record
 
 
Author Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. url  openurl
  Title Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии Type Journal Article
  Year 1983 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 17 Issue 10 Pages 1896-1898  
  Keywords Ge, deep impurities  
  Abstract  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference (up)  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1762  
Permanent link to this record
 
 
Author Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Рабинович, Р. И. url  openurl
  Title Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда Type Journal Article
  Year 1983 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 17 Issue 10 Pages 1873-1876  
  Keywords compensated n-InSb, Hubbard upper zone conductivity, negative magnetoresistance  
  Abstract  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference (up)  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1763  
Permanent link to this record
 
 
Author Гершензон, Е. М.; Мельников, А. П.; Рабинович, Р. И.; Смирнова, В. Б. url  openurl
  Title О возможности создания инверсной функции распределения свободных носителей в полупроводниках при захвате на мелкие нейтральные примеси Type Journal Article
  Year 1983 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 17 Issue 3 Pages 499-501  
  Keywords shallow neutral impurities, capture, inverse distribution function, Si  
  Abstract  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference (up)  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1764  
Permanent link to this record
Select All    Deselect All << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> [11–13]
List View
 | 
Citations
 | 
Details
   print
toggle visibility
Save Citations:
Export Records:
Home CQL Search  |  Library Search  |  Show Record  |  Extract Citations Help