| |
Author |
Title |
Year |
Publication |
Volume |
Pages |
Links |
|
|
Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе |
1991 |
Физика и техника полупроводников |
25 |
1986-1998 |
|
|
|
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла |
1990 |
Физика и техника полупроводников |
24 |
2145-2150 |
|
|
|
Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах |
1990 |
Физика и техника полупроводников |
24 |
3-24 |
|
|
|
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. |
Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках |
1989 |
Физика и техника полупроводников |
23 |
338-345 |
|
|
|
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З. |
Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ |
1986 |
Физика и техника полупроводников |
20 |
99-103 |
|
|
|
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. |
Спин-решеточная релаксация доноров фосфора в кремнии при одноосной деформации образца |
1985 |
Физика и техника полупроводников |
19 |
1696-1698 |
|
|
|
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. |
О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора в кремнии |
1984 |
Физика и техника полупроводников |
18 |
421-425 |
|
|
|
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. |
Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии |
1983 |
Физика и техника полупроводников |
17 |
1896-1898 |
|
|
|
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Рабинович, Р. И. |
Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда |
1983 |
Физика и техника полупроводников |
17 |
1873-1876 |
|
|
|
Гершензон, Е. М.; Мельников, А. П.; Рабинович, Р. И.; Смирнова, В. Б. |
О возможности создания инверсной функции распределения свободных носителей в полупроводниках при захвате на мелкие нейтральные примеси |
1983 |
Физика и техника полупроводников |
17 |
499-501 |
|
