Records |
Author |
Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.; Ригер, Е. Р. |
Title |
Оже-рекомбинация свободных носителей на мелких донорах в германии |
Type |
Journal Article |
Year |
1984 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal ![sorted by Abbreviated Journal field, descending order (down)](img/sort_desc.gif) |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
18 |
Issue |
9 |
Pages |
1684-1686 |
Keywords |
Ge, free carrier recombination |
Abstract |
|
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1710 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
Title |
Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge |
Type |
Journal Article |
Year |
1989 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal ![sorted by Abbreviated Journal field, descending order (down)](img/sort_desc.gif) |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
23 |
Issue |
8 |
Pages |
1356-1361 |
Keywords |
Ge, crystallography |
Abstract |
Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
Duplicated as 1692 |
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1691 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Кагане, М. Л.; Мултановский, В. В.; Птицина, Н. Г. |
Title |
Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках |
Type |
Journal Article |
Year |
1983 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal ![sorted by Abbreviated Journal field, descending order (down)](img/sort_desc.gif) |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
17 |
Issue |
8 |
Pages |
1430-1437 |
Keywords |
BWO spectroscopy, pure semiconductors, residual impurities |
Abstract |
|
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
Duplicated as 1714 |
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1712 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Title |
Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе |
Type |
Journal Article |
Year |
1991 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal ![sorted by Abbreviated Journal field, descending order (down)](img/sort_desc.gif) |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
25 |
Issue |
11 |
Pages |
1986-1998 |
Keywords |
n-InSb mixer |
Abstract |
Проведено комплексное исследование n-InSb смесителя на λ=2.6 мм, включающее в себя исследование вольт-амперных характеристик при E=0−2 В/см, температурной зависимости проводимости в диапазоне T=1.6−20 K, высокочастотной проводимости при f=0.5−10 МГц и магнитосопротивления при H=0−5 кЭ. Показано, что в оптимальном режиме механизм преобразования частоты связан с фотоионизационными процессами при прыжковой фотопроводимости (ПФП). На основе модели ПФП рассчитан коэффициент преобразования смесителя и произведено сопоставление его с экспериментом. Показана несостоятельность модели преобразования частоты в компенсированном n-InSb (K≥0.8), основанной на разогреве электронов. Обсуждены требования к параметрам материала и режимам n-InSb смесителя миллиметрового диапазона волн. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1753 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Title |
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла |
Type |
Journal Article |
Year |
1990 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal ![sorted by Abbreviated Journal field, descending order (down)](img/sort_desc.gif) |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
24 |
Issue |
12 |
Pages |
2145-2150 |
Keywords |
Hall constant, concentration of impurities, p-Si |
Abstract |
На примере p-Si⟨B,\,Ga⟩ с различной степенью компенсации проведена сравнительная оценка точности определения раздельной концентрации примесей по температурной зависимости концентрации дырок p(T) в случае одной и двух легирующих примесей с энергиями ионизации, различающимися менее чем в 2 раза. Исследована функция среднеквадратичного отклонения в пространстве параметров D(Nк, N2) (Nк, N1 и N2 — концентрации компенсирующих примесей бора и галлия соответственно, N2≫N1) в предположении, что N2, энергии B и Ga известны. Показано, что в случае двух легирующих примесей D(Nк, N1) в окрестностях минимума имеет «овражный» рельеф и при некоторых соотношениях между Nк и N1 разброс искомых величин превышает порядок, причем увеличение точности измерений p(T) существенного улучшения в вычислении параметров не дает. При одной легирующей примеси точность вычисления параметров высокая. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1754 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
Title |
Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge |
Type |
Journal Article |
Year |
1990 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal ![sorted by Abbreviated Journal field, descending order (down)](img/sort_desc.gif) |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
24 |
Issue |
10 |
Pages |
1881-1883 |
Keywords |
impurities, photoconductivity, Ge, capture of free carriers, magnetic field |
Abstract |
Цель настоящей работы — измерение кинетики примесной фотопроводимости в квантующих магнитных полях. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1755 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Title |
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах |
Type |
Journal Article |
Year |
1990 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal ![sorted by Abbreviated Journal field, descending order (down)](img/sort_desc.gif) |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
24 |
Issue |
1 |
Pages |
3-24 |
Keywords |
compensated n-InSb, impurities |
Abstract |
Представлен обзор результатов цикла исследований природы электропроводности предельно очищенных образцов антимонида индия n-типа. Рассмотрены способы определения концентрации доноров и степени компенсации в этом материале, обсуждается роль свободных и локализованных на донорах электронов в электропроводности при гелиевых температурах. Обсуждение основано на анализе результатов исследования гальваномагнитных явлений, поглощения СВЧ излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов и ультразвука. Рассмотрены способы определения характеристик материала на основе комплекса результатов, полученных с помощью указанных методов. Обсуждается также фотопроводимость по примесям в n-InSb. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1756 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. |
Title |
Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках |
Type |
Journal Article |
Year |
1989 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal ![sorted by Abbreviated Journal field, descending order (down)](img/sort_desc.gif) |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
23 |
Issue |
2 |
Pages |
338-345 |
Keywords |
weakly compensated Si, Ge, doped, Hall mobility |
Abstract |
На примере легированного и слабо компенсированного Si⟨B⟩ проведены исследования особенностей температурной зависимости подвижности при различных механизмах рассеяния. Уточнен метод определения концентрации компенсирующей примеси по μI(T). Полученные результаты обсуждаются и для Ge. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1758 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З. |
Title |
Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ |
Type |
Journal Article |
Year |
1986 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal ![sorted by Abbreviated Journal field, descending order (down)](img/sort_desc.gif) |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
20 |
Issue |
1 |
Pages |
99-103 |
Keywords |
n-Ge, Hubbard upper zone conductivity, negative magnetoresistance |
Abstract |
В рамках теории квантовых поправок к проводимости объяснено отрицательное магнитосопротивление в n-Ge с концентрацией доноров Nd≃2.8⋅1016÷1.1⋅1017см−3, наблюдаемое в диапазоне температур 4.2−10 K, когда основной вклад в проводимость дают электроны верхней зоны Хаббарда. Показано, что время релаксации фазы волновой функции τφ определяется временем электрон-фононного взаимодействия τeph. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1759 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. |
Title |
Спин-решеточная релаксация доноров фосфора в кремнии при одноосной деформации образца |
Type |
Journal Article |
Year |
1985 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal ![sorted by Abbreviated Journal field, descending order (down)](img/sort_desc.gif) |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
19 |
Issue |
9 |
Pages |
1696-1698 |
Keywords |
uniaxial pressure, Ge, phosphorus donors, spin-lattice relaxation |
Abstract |
|
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1760 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. |
Title |
О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора в кремнии |
Type |
Journal Article |
Year |
1984 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal ![sorted by Abbreviated Journal field, descending order (down)](img/sort_desc.gif) |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
18 |
Issue |
3 |
Pages |
421-425 |
Keywords |
Si, phosphorus donors, EPR |
Abstract |
Температурная зависимость ширины линии ЭПР доноров Р в Si исследована в интервале концентрации ND=2.5⋅1017−9⋅1017см−3 и температур T=1.7−45 K на образцах с различной степенью компенсации основной примеси. Результаты согласуются с моделью обменного сужения линии при учете температурной зависимости обменного интеграла и тем самым исключают предлагавшийся ранее механизм сужения линии вследствие прыжкового движения электронов по примесным центрам. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1761 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. |
Title |
Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии |
Type |
Journal Article |
Year |
1983 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal ![sorted by Abbreviated Journal field, descending order (down)](img/sort_desc.gif) |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
17 |
Issue |
10 |
Pages |
1896-1898 |
Keywords |
Ge, deep impurities |
Abstract |
|
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1762 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Рабинович, Р. И. |
Title |
Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда |
Type |
Journal Article |
Year |
1983 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal ![sorted by Abbreviated Journal field, descending order (down)](img/sort_desc.gif) |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
17 |
Issue |
10 |
Pages |
1873-1876 |
Keywords |
compensated n-InSb, Hubbard upper zone conductivity, negative magnetoresistance |
Abstract |
|
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1763 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Гершензон, Е. М.; Мельников, А. П.; Рабинович, Р. И.; Смирнова, В. Б. |
Title |
О возможности создания инверсной функции распределения свободных носителей в полупроводниках при захвате на мелкие нейтральные примеси |
Type |
Journal Article |
Year |
1983 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal ![sorted by Abbreviated Journal field, descending order (down)](img/sort_desc.gif) |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
17 |
Issue |
3 |
Pages |
499-501 |
Keywords |
shallow neutral impurities, capture, inverse distribution function, Si |
Abstract |
|
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1764 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Gershenzon, E. M.; Gurvich, Y. A.; Orlova, S. L.; Ptitsina, N. G. |
Title |
Scattering of electrons by charged impurities in Ge under cyclotron resonance conditions |
Type |
Journal Article |
Year |
1976 |
Publication |
Presumably: Sov. Phys. Semicond. | Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal ![sorted by Abbreviated Journal field, descending order (down)](img/sort_desc.gif) |
Presumably: Sov. Phys. Semicond. | Физика и техника полупроводников |
Volume |
10 |
Issue |
|
Pages |
1379-1383 |
Keywords |
Ge, cyclotron resonance, charged impurities, |
Abstract |
|
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1772 |
Permanent link to this record |